Accoppiatori ottici ad alta velocità dei circuiti integrati di 6N136-500E rf 1 Mb/s 3750Vrms
integrated circuit chip
,radio frequency integrated circuit
Accoppiatori ottici ad alta velocità dei circuiti integrati di 6N136-500E rf 1 Mb/s 3750Vrms
Descrizione
Questi accoppiatori ottici del diodo-transistor usano uno strato isolante fra un LED e un rivelatore fotoelettrico integrato per fornire l'isolamento elettrico fra input ed uscita. I collegamenti separati per la polarizzazione del fotodiodo e l'aumento del collettore del uscita-transistor si accelerano ad cento volte che di un accoppiatore convenzionale del fototransistor riducendo la capacità del base-collettore.
Questi accoppiatori ottici del singolo canale sono disponibili nella IMMERSIONE di 8 perni, in SO-8 e nelle configurazioni Widebody del pacchetto.
I 6N135, i HCPL-0500 e i HCNW135 serviscono in TTL/CMOS, in TTL/LSTTL o nelle applicazioni analogiche di ampio-larghezza di banda. Il rapporto di trasferimento corrente (CTR) per questi dispositivi è 7% minimo a SE = 16 mA.
I 6N136, i HCPL-2502, i HCPL-0501 e i HCNW136 sono progettati per le applicazioni ad alta velocità di TTL/TTL. Un lavandino standard di 16-mA TTL corrente attraverso l'input LED fornirà abbastanza corrente d'uscita per 1 carico di TTL e un di 5,6 K tira sulla resistenza. Il CTR per questi dispositivi è minimo di 19% a IF=16 mA.
Caratteristiche
alta velocità del : 1 Mb/s
TTL compatibile
disponibile in una IMMERSIONE di 8 perni, SO-8, pacchetti widebody
uscita di collettore aperto del
approvazione di sicurezza del
-
versione a doppio canale del disponibile (253X/053X/0534)
Applicazioni
-
isolamento ad alta tensione del
-
isolamento del segnale video del
-
linea ricevitori del
-
elemento di risposte del nelle alimentazioni elettriche commutate di modo
-
isolamento ad alta velocità di messa a terra di logica del
-
il sostituisce i trasformatori di impulso
-
il sostituisce gli isolatori lenti del fototransistor
-
isolamento di messa a terra di segnale analogico del
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|