Distribuzione di energia di IC del commutatore di Ethernet di NSR02100HT1G SOPRA PROTEZIONE CORRENTE
ethernet transceiver ic
,fast ethernet switch chip
Distribuzione di energia di IC del commutatore di Ethernet di NSR02100HT1G SOPRA PROTEZIONE CORRENTE
Caratteristiche
• Velocità di commutazione veloce
• Corrente bassa di perdita
• − basso 0,45 V di tensione di andata @ SE = 1 mAdc
• Dispositivo di superficie del supporto
• Diodo basso di capacità
• Prefisso di NSVR per richiesta automobilistica ed altra di applicazioni
Requisiti unici del cambiamento di controllo e del sito; AEC−Q101
Qualificato e PPAP capaci
• Questi dispositivi sono Pb−Free, l'alogeno Free/BFR libero e sono RoHS compiacente
DIAGRAMMA DI SEGNO
Caratteristica |
Simbolo |
Valore |
Unità |
Bordo totale di dissipazione FR−5 del dispositivo, (nota 1) TUM = 25°C |
Palladio |
200 1,57 |
Mw mW/°C |
Corrente di andata (CC) |
SE |
200 |
mA |
Corrente di andata del picco di Non−Repetitive, tp < 10="" msec=""> |
IFSM |
2 |
|
Resistenza termica Junction−to−Ambient |
RqJA |
635 |
°C/W |
Gamma di temperature di stoccaggio e della giunzione |
TJ, Tstg |
−55 to150 |
°C |
INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
Dispositivo |
Pacchetto |
† Di spedizione |
NSR02100HT1G |
SOD−323 (Pb−Free) |
3.000/nastro & bobina |
NSVR02100HT1G |
SOD−323 (Pb−Free) |
3.000/nastro & bobina |
CARATTERISTICHE ELETTRICHE
Caratteristica |
Simbolo |
Min |
Tipo |
Massimo |
Unità |
Tensione di ripartizione inversa (IR = μA 10) |
VR |
− |
100 |
− |
V |
Perdita inversa (VR = 50 V) |
IR |
− |
− |
0,05 |
μAdc |
Perdita inversa (VR = 100 V) |
IR |
− |
− |
0,15 |
mAdc |
Tensione di andata (SE = 1 mAdc) |
VF |
− |
− |
0,45 |
VCC |
Tensione di andata (SE = mAdc 10) |
VF |
− |
− |
0,57 |
VCC |
Tensione di andata (SE = mAdc 100) |
VF |
− |
− |
0,80 |
VCC |
Tensione di andata (SE = mAdc 200) |
VF |
− |
− |
0,95 |
VCC |
Capacità totale |
CT |
− |
4 |
10 |
PF |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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![]() |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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![]() |
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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![]() |
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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![]() |
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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![]() |
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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![]() |
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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![]() |
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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![]() |
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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