Transistor di potenza 100V 4,0 MOhm N-Ch NexFET del Mosfet di CSD19532Q5B
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
MOSFET di potere di N-Ch NexFET del mOhm del MOSFET 100V 4,0 del transistor di potenza del Mosfet di CSD19532Q5B
Caratteristiche 1
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Resistenza termica bassa
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Valanga valutata
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Placcatura terminale senza Pb
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RoHS compiacente
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Alogeno libero
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FIGLIO 5 millimetri di × un pacchetto di plastica da 6 millimetri
2 applicazioni
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Raddrizzatore sincrono per i convertitori cc-cc offline ed isolati
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Controllo motorio
Descrizione 3
Questa 100 V, 4 il mΩ, il FIGLIO MOSFET di potere di 5 di millimetro millimetri NexFETTM del × 6 sono destinate per minimizzare le perdite nelle applicazioni di trasformazione dell'energia.
Riassunto del prodotto
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TUM = 25°C |
VALORE TIPICO |
UNITÀ |
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VDS |
Tensione di Scolo--fonte |
100 |
V |
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Qg |
Totale della tassa del portone (10 V) |
48 |
nC |
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Qgd |
Portone della tassa del portone da vuotare |
8,7 |
nC |
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RDS (sopra) |
Scolo--fonte su resistenza |
VGS = 6 V |
4,6 |
mΩ |
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VGS =10V |
4 |
mΩ |
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VGS (Th) |
Tensione della soglia |
2,6 |
V |
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Informazioni di ordinazione (1)
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Dispositivo |
Media |
Qty |
Pacchetto |
Nave |
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CSD19532Q5B |
bobina a 13 pollici |
2500 |
FIGLI un pacchetto di plastica da 5 x 6 millimetri |
Nastro e bobina |
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CSD19532Q5BT |
bobina a 13 pollici |
250 |
Valutazioni massime assolute
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TUM = 25°C |
VALORE |
UNITÀ |
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VDS |
Tensione di Scolo--fonte |
100 |
V |
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VGS |
Tensione di Portone--fonte |
±20 |
V |
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Identificazione |
Corrente continua dello scolo (pacchetto limitato) |
100 |
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Corrente continua dello scolo (silicio limitato), TC = 25°C |
140 |
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Corrente continua dello scolo (1) |
17 |
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IDM |
Corrente pulsata dello scolo (2) |
400 |
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Palladio |
Dissipazione di potere (1) |
3,1 |
W |
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Dissipazione di potere, TC = 25°C |
195 |
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TJ, Tstg |
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione |
– 55 - 150 |
°C |
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EAS |
Energia della valanga, singola identificazione =74A, L=0.1mH, RG =25Ω di impulso |
274 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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