MOSFET N Ch 100V 100A TDSON-8 del transistor di potenza del Mosfet di BSC046N10NS3G
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 17A/100A TDSON
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
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Metodo di pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Specifiche
Configurazione:
Singolo
Palladio - dissipazione di potere:
156 W
Temperatura di funzionamento minima:
- 55 C
Temperatura di funzionamento massima:
+ 150 C
Modo di Manica:
Potenziamento
Qg - tassa del portone:
63 nC
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Introduzione
MOSFET N-Ch 100V 100A TDSON-8 del transistor di potenza del Mosfet di BSC046N10NS3G
Caratteristiche
• Tassa bassa stessa del portone per le applicazioni ad alta frequenza
• Ottimizzato per la conversione di cc-cc
• N-Manica, livello normale
• Prodotto eccellente della tassa x R DS del portone (sopra) (FOM)
• Su resistenza bassa stessa R DS (sopra)
• una temperatura di funzionamento di 150 °C
• placcatura senza Pb del cavo; RoHS compiacente
• Qualificato secondo JEDEC1) per l'applicazione dell'obiettivo • senza alogeno secondo IEC61249-2-21
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