Circuito del commutatore del Mosfet BAV99,215, interruttore DBL 100V 215MA HS del circuito dell'amplificatore del Mosfet
Specifiche
Imballaggio:
Tagli il nastro
Marca:
Nexperia
Tipo di prodotto:
Diodi - uso generale, potere, commutazione
Sottocategoria:
Diodi & raddrizzatori
Peso specifico:
0,000265 once
Parte # pseudonimi:
BAV99 T/R
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Introduzione
Diodi del transistor di potenza del Mosfet BAV99,215 - uso generale, potere, interruttore DBL 100V 215MA HS di commutazione
Descrizione generale
Diodi di commutazione ad alta velocità, incapsulati in piccoli pacchetti di plastica Superficie-montati del dispositivo (SMD).
Caratteristiche e benefici
- Alta velocità di commutazione: ≤ 4 NS del trr
- Corrente bassa di perdita
- Piccoli pacchetti di plastica di SMD
- AEC-Q101 si è qualificato
- Capacità bassa: ≤ 1,5 PF del CD
-
Tensione inversa: ≤ 100 V DI VR
Applicazioni
- Commutazione ad alta velocità
- Protezione inversa di polarità
- Commutazione per tutti gli usi
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Immagine | parte # | Descrizione | |
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