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Configurazione bassa del transistor di potenza N-CH PWR del Mosfet di resistenza CSD13381F4 singola

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
MOSFET N-CH 12V 2.1A 3PICOSTAR
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
Contact us
Metodo di pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Specifiche
Modo di Manica:
Potenziamento
Configurazione:
Singolo
Temperatura di funzionamento minima:
- 55 C
Temperatura di funzionamento massima:
+ 150 C
Categoria di prodotto:
MOSFET
Produttore:
Texas Instruments
Punto culminante:

p channel mosfet driver circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduzione

MOSFET del MOSFET 12V N-CH PWR del transistor di potenza del Mosfet CSD13381F4

Caratteristiche 1

  • Su resistenza bassa
  • Qg e Qgd bassi

  • Tensione bassa della soglia

  • Ultra-piccola orma (una dimensione di 0402 casi)

    – 1.0mm×0.6mm

  • Profilo ultrabasso

– 0,35 millimetri di altezza

  • Diodo integrato di protezione di ESD

    • – >4 stimato chilovolt HBM

    • – >2 stimato chilovolt CDM

  • Piombo ed alogeno liberi

  • RoHS compiacente

2 applicazioni

  • Ottimizzato per le applicazioni del commutatore del carico

  • Ottimizzato per le applicazioni di commutazione per tutti gli usi

  • Applicazioni della batteria unicellulare

  • Applicazioni tenute in mano e mobili

Descrizione 3

Questo 140 mΩ, la tecnologia del MOSFET di FemtoFETTM di N-Manica di 12 V sono destinati ed ottimizzati per minimizzare l'orma in molte applicazioni tenute in mano e mobili. Questa tecnologia è capace di sostituzione dei MOSFETs piccoli standard del segnale mentre fornisce almeno un rapporto di riproduzione di 60% della dimensione di orma.

Riassunto del prodotto

TUM = 25°C

VALORE TIPICO

UNITÀ

VDS

Tensione di Scolo--fonte

12

V

Qg

Totale della tassa del portone (4,5 V)

1060

pc

Qgd

Portone--scolo della tassa del portone

140

pc

RDS (sopra)

Su resistenza di Scolo--fonte

VGS = 1,8 V

310

VGS = 2,5 V

170

VGS = 4,5 V

140

VGS (Th)

Tensione della soglia

0,85

V

Informazioni di ordinazione

Dispositivo

Qty

Media

Pacchetto

Nave

CSD13381F4

3000

bobina a 7 pollici

Femto (0402) 1,0 millimetri x 0,6 millimetri di cavo di SMD più di meno

Nastro e bobina

CSD13381F4T

250

Valutazioni massime assolute

TUM = 25°C salvo indicazioni contrarie

VALORE

UNITÀ

VDS

Tensione di Scolo--fonte

12

V

VGS

Tensione di Portone--fonte

8

V

Identificazione

Corrente continua dello scolo, TUM = 25°C (1)

2,1

IDM

Corrente pulsata dello scolo, TUM = 25°C (2)

7

IG

Corrente continua del morsetto del portone

35

mA

Corrente del morsetto del portone pulsato (2)

350

Palladio

Dissipazione di potere (1)

500

Mw

Valutazione di ESD

Modello del corpo umano (HBM)

4

chilovolt

Modello fatto pagare del dispositivo (CDM)

2

chilovolt

TJ, Tstg

Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione

– 55 - 150

°C

EAS

Energia della valanga, singolo impulso identificazione = 7,4 A, L=0.1mH, RG =25Ω

2,7

mJ

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