MOSFETs doppi del transistor di potenza 30V N-CH NexFET PWR del Mosfet di Manica di CSD87312Q3E 2
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFETs doppi del MOSFET 30V N-CH NexFET PWR del transistor di potenza del Mosfet di CSD87312Q3E
CARATTERISTICHE
- Ection di CommonSourceConn
- Ultr una L scolo della o w per vuotare Su resistenza
- FIGLI di economia di spazio pacchetto di plastica di 3.3mm x di 3,3
- Ottimizzato per l'azionamento del portone 5V
- Resistenza termica bassa
- Valanga valutata
- Placcatura terminale libera del Pb
- RoHS compiacente
- APPLICAZIONI libere dell'alogeno
APPLICAZIONI
- Adaptor/USB ha introdotto la protezione per il taccuino
- Pc e compresse
RIASSUNTO DEL PRODOTTO
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TUM = 25°C |
VALORE TIPICO |
UNITÀ |
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VDS |
Vuoti a tensione di fonte |
30 |
V |
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Qg |
Totale della tassa del portone (4.5V) |
6,3 |
nC |
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Qgd |
Portone della tassa del portone da vuotare |
0,7 |
nC |
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RDD (sopra) |
Vuoti per vuotare sulla resistenza (Q1+Q2) |
VGS = 4.5V |
31 |
mΩ |
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VGS = 8V |
27 |
mΩ |
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VGS (Th) |
Tensione della soglia |
1,0 |
V |
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INFORMAZIONI DI ORDINAZIONE
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Dispositivo |
Pacchetto |
Media
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Qty |
Nave |
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CSD87312Q3E |
FIGLI pacchetto di plastica di 3.3mm x di 3,3 |
13-nella bobina di ch |
2500 |
Nastro e bobina |
VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE
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TUM = 25°C |
VALORE |
UNITÀ |
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VDS |
Vuoti a tensione di fonte |
30 |
V |
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VGS |
Portone a tensione di fonte |
+10/-8 |
V |
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Identificazione |
(1) corrente continua dello scolo, TC = 25°C |
27 |
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IDM |
Corrente pulsata dello scolo (2) |
45 |
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Palladio |
Dissipazione di potere |
2,5 |
W |
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TJ, TSTG |
Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione |
– 55 - 150 |
°C |
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EAS |
Energia della valanga, singola identificazione =24A, L=0.1mH, RG =25Ω di impulso |
29 |
mJ |
DESCRIZIONE
Il CSD87312Q3E è 30V una comune-fonte, dispositivo doppio di N-Manica progettato per la protezione dell'input di adaptor/USB. Questo FIGLI dispositivo di 3.3mm x di 3,3 hanno scolo basso per vuotare la su resistenza che minimizza le perdite ed offre il conteggio componente basso per le applicazioni caricantesi costrette spazio della batteria della multi-cellula.
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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