Circuiti del transistor del Mosfet di velocità veloce FDC3535, circuito di controllo motorio del Mosfet
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
MOSFET P-CH 80V 2.1A SUPERSOT6
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
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Metodo di pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Specifiche
Peso specifico:
0,001270 once
Tipo di prodotto:
MOSFET
Temperatura di funzionamento minima:
- 55 C
Temperatura di funzionamento massima:
+ 150 C
Configurazione:
Singolo
Palladio - dissipazione di potere:
1,6 W
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Introduzione
MOSFET del MOSFET del transistor di potenza del Mosfet FDC3535; -80V P-Chan PowerTrench
Caratteristiche
- MaxrDS (sopra) =183mΩatVGS =-10V, identificazione =-2.1A
- MaxrDS (sopra) =233mΩatVGS =-4.5V, identificazione =-1.9A
- Tecnologia della fossa di rendimento elevato per estremamente - RDS basso (sopra)
- Alto potere e capacità di trattamento corrente in un pacchetto di superficie ampiamente usato del supporto
- Velocità di commutazione veloce
- 100% UIL provato
- RoHS compiacente
Descrizione generale
Questo MOSFET di P-Manica è prodotto facendo uso del processo avanzato del ® della fossa del potere a semiconduttore di Fairchild che è stato ottimizzato per RDS (sopra), la prestazione e l'irregolarità di commutazione.
Applicazioni
- Commutatore del carico
- Raddrizzatore sincrono
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