Transistor di potenza N-Ch del Mosfet di FDV301N Digital sul semiconduttore 25 V 0,22 A continuo
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie 350mW (tum) SOT-23-3 di N-Manica 25 V 220mA (tum)
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
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Metodo di pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Specifiche
Peso specifico:
0,001093 once
Tipo di prodotto:
MOSFET
Temperatura di funzionamento minima:
- 55 C
Temperatura di funzionamento massima:
+ 150 C
Produttore:
Sul semiconduttore
Categoria di prodotto:
MOSFET
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Introduzione
MOSFET N-Ch Digital del transistor di potenza del Mosfet di FDV301N
Caratteristiche
- 25 V, 0,22 A continui, 0,5 picchi di A. RDS (SOPRA) =5Ω@VGS=2.7V
- RDS (SOPRA) = 4 Ω @ VGS= 4,5 V.
- Concedere a basso livello stesso di requisiti dell'azionamento del portone diretto
- operazione in circuiti 3V. VGS (Th) < 1="">
- Portone-fonte Zener per irregolarità di ESD. Modello del corpo umano di >6kV
- Sostituisca i transistor digitali multipli di NPN con un FET di DMOS.
Descrizione generale
Questo transistor di effetto di campo del modo di potenziamento del livello logico di N-Manica è prodotto facendo uso di Fairchild privata, l'alta densità delle cellule, la tecnologia di DMOS. Questo processo molto ad alta densità è adattato particolarmente per minimizzare la resistenza dello su stato. Questo dispositivo è stato progettato particolarmente per le applicazioni di bassa tensione come sostituzione per i transistor digitali. Poiché le resistenze di polarizzazione non sono richieste, questo FET di un N-Manica può sostituire vari transistor digitali, con differenti valori della resistenza diagonale.
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