Transistor del Mosfet di Manica di FDMS86181 N, driver Circuit Shielded Gate del motore del Mosfet
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Manica 100 V 44A (tum), 124A (TC) 2.5W (tum), 125W (TC) supporto 8-PQFN (5x6) della superficie
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
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Metodo di pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Specifiche
Peso specifico:
0,003175 once
Tipo di prodotto:
MOSFET
Temperatura di funzionamento minima:
- 55 C
Temperatura di funzionamento massima:
+ 150 C
Modo di Manica:
Potenziamento
Configurazione:
Singolo
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,n channel mos field effect transistor
Introduzione
MOSFET della fossa di potere del MOSFET 100V/20V N-Chnl del transistor di potenza del Mosfet FDMS86181
Caratteristiche
- Tecnologia schermata del MOSFET del portone
- MaxrDS (sopra) =4.2mΩat VGS =10V, identificazione =44A
- MaxrDS (sopra) =12mΩat VGS =6V, identificazione =22A
- AGGIUNGA
- 50%
- Qrr più basso che altri fornitori del MOSFET abbassa la commutazione noise/EMI
- Progettazione di pacchetto robusta MSL1
- 100% UIL ha provato
- RoHS compiacente
Descrizione generale
Questo MOSFET di sistemi MV di N-Manica è prodotto facendo uso del processo avanzato del ® del PowerTrench a semiconduttore di Fairchild che comprende la tecnologia schermata del portone. Questo processo è stato ottimizzato per minimizzare la resistenza dello su stato ma per mantenere la prestazione di commutazione superiore con il meglio in diodo molle del corpo della classe.
Applicazioni
- MOSFET di CC-CC primario
- Raddrizzatore sincrono in azionamento di motore di AC-DC e di CC-CC
- Solare
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