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Circuito del commutatore del Mosfet di alto potere P di FDS6681Z, driver Circuit del Mosfet di Manica di P

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie 2.5W (tum) 8-SOIC di P-Manica 30 V 20A (tum)
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
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Metodo di pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Specifiche
Peso specifico:
0,004586 once
Tipo di prodotto:
MOSFET
Temperatura di funzionamento minima:
- 55 C
Temperatura di funzionamento massima:
+ 150 C
Numero dei canali:
1 canale
Polarità del transistor:
P-Manica
Punto culminante:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introduzione

MOSFET di PowerTrench di P-Manica del MOSFET 30V del transistor di potenza del Mosfet di FDS6681Z

Caratteristiche di descrizione generale

Questo MOSFET di P-Manica è prodotto facendo uso del processo avanzato del PowerTrench® a semiconduttore di Fairchild che è stato adattato particolarmente per minimizzare la resistenza dello su stato.

Questo dispositivo è ben adattato per la gestione di potere e le applicazioni di commutazione del carico comuni in computer portatili e nei pacchetti portatili della batteria.

Caratteristiche
• Gamma estesa di VGSS (– 25V) per le applicazioni della batteria

• Livello di protezione di HBM ESD di 8kV tipico (nota 3) • Tecnologia della fossa di rendimento elevato per estremamente

RDS basso (SOPRA)
• Alto potere e capacità di trattamento corrente
• TerminationisLead-freeandRoHSCompliant

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