Configurazione ad alta tensione di NCh PowerTrench del transistor di potenza del Mosfet FDT3612 singola
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie 3W (tum) SOT-223-4 di N-Manica 100 V 3.7A (tum)
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
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Metodo di pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Specifiche
Peso specifico:
0,003951 once
Tipo di prodotto:
MOSFET
Temperatura di funzionamento minima:
- 55 C
Temperatura di funzionamento massima:
+ 150 C
Configurazione:
Singolo
Modo di Manica:
Potenziamento
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Introduzione
MOSFET 100V NCh PowerTrench del transistor di potenza del Mosfet FDT3612
Descrizione generale
Questo MOSFET di N-Manica è stato destinato specificamente per migliorare l'efficienza globale dei convertitori di DC/DC facendo uso dei regolatori sincroni o convenzionali di commutazione PWM.
Questi MOSFETs caratterizzano la commutazione più veloce e la tassa più bassa del portone che altri MOSFETs con le specifiche comparabili di RDS (SOPRA). Il risultato è progettazioni dell'alimentazione elettrica di DC/DC e) ai very high frequency anche (da guidare più sicuro e facile è che del MOSFET con più alta efficienza globale.
Applicazioni
• DC/DCconverter
• Motordriving
Caratteristiche
- 3.7A, 100V. RDS (SOPRA) =120MΩ@VGS =10V RDS (SOPRA) =130MΩ@VGS =6V
- Fastswitchingspeed
- Lowgatecharge (14nCtyp)
- Highperformancetrenchtechnologyforextremely RDS basso (SOPRA)
- Alto potere e capacità di trattamento corrente in un pacchetto di superficie ampiamente usato del supporto
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