Driver Circuit, transistor di commutazione di potenza PowerTrench del Mosfet di Manica di FDMS6681Z P
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
P-Manica 30 V 21.1A (tum), 49A (TC) 2.5W (tum), 73W (TC) supporto 8-PQFN (5x6) della superficie
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
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Metodo di pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Specifiche
Peso specifico:
0,002402 once
Tipo di prodotto:
MOSFET
Temperatura di funzionamento minima:
- 55 C
Temperatura di funzionamento massima:
+ 150 C
Palladio - dissipazione di potere:
2,5 W
Imballaggio:
Tagli il nastro
Punto culminante:
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
Introduzione
P-Manica PowerTrench del MOSFET -30V del transistor di potenza del Mosfet di FDMS6681Z
Caratteristiche
- MΩ massimo 3,2 di RDS (sopra) = a VGS = -10 V, identificazione = -21,1 A
- MaxrDS (sopra) =5.0mΩatVGS =-4.5V, identificazione =-15.7A
-
Combinazione avanzata del silicio e del pacchetto per RDS basso (sopra)
-
Livello di protezione di HBM ESD di 8kV tipico (nota 3)
-
Progettazione di pacchetto robusta MSL1
-
RoHS compiacente
Descrizione generale
Il FDMS6681Z è stato destinato per minimizzare le perdite nelle applicazioni del commutatore del carico. Gli avanzamenti sia nelle tecnologie del pacchetto che del silicio si sono combinati per offrire il RDS più basso (sopra) e la protezione di ESD.
Applicazioni
- Commutatore del carico in taccuino e server
- Gestione di potere del pacchetto della batteria del taccuino
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