Invia messaggio
Casa > prodotti > Chip di IC di memoria flash > Diodi Zener 11V 500mW del transistor di potenza del Mosfet di MMSZ5241BT1G

Diodi Zener 11V 500mW del transistor di potenza del Mosfet di MMSZ5241BT1G

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
DIODO ZENER 11V 500MW SOD123
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
Contact us
Metodo di pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Specifiche
Produttore Kit:
Sul semiconduttore
Montaggio dello stile:
SMD/SMT
Pacchetto/caso:
SOD-123-2
Palladio - dissipazione di potere:
500 Mw
Tolleranza di tensione:
5%
Corrente di Zener:
2 uA
Punto culminante:

p channel mosfet driver circuit

,

mosfet motor control circuit

Introduzione

Diodi Zener 11V 500mW del transistor di potenza del Mosfet di MMSZ5241BT1G

Caratteristiche

• una valutazione di 500 Mw sul bordo FR−4 o FR−5
• Ampio − 2,4 V della gamma di tensione inversa di Zener - un termale di 110 V @

Equilibrium*
• Pacchetto progettato per l'Assemblea automatizzata ottimale del bordo
• Dimensione del piccolo pacchetto per le applicazioni ad alta densità
• Corrente per tutti gli usi e media
• Valutazione di ESD della classe 3 (> 16 chilovolt) per modello del corpo umano
• Prefisso della SZ per richiesta automobilistica ed altra di applicazioni unica

Sito e requisiti del cambiamento di controllo; AEC−Q101 si è qualificato e

PPAP capace
• Questi sono Pb−Free Devices*

VALUTAZIONI MASSIME

Valutazione

Simbolo

Massimo

Unità

Dissipazione di potere totale sul bordo FR−5, (nota 1) @ TL = 75°C
Ridotto le imposte su sopra 75°C

Palladio

500 6,7

Mw mW/°C

Resistenza termica, Junction−to−Ambient (nota 2)

RqJA

340

°C/W

Resistenza termica, Junction−to−Lead (nota 2)

RqJL

150

°C/W

Gamma di temperature di stoccaggio e della giunzione

TJ, Tstg

−55 a +150

°C

PRODOTTI RELATIVI
Immagine parte # Descrizione
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE

SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
Contact us