MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM del transistor di potenza del Mosfet di NTMFS4833NT1G
p channel mosfet driver circuit
,mosfet motor control circuit
MOSFET NFET 30V 191A 2MOHM del transistor di potenza del Mosfet di NTMFS4833NT1G
Caratteristiche
• RDS basso (sopra) per minimizzare le perdite di conduzione
• Capacità bassa per minimizzare driver Losses
• Tassa ottimizzata del portone per minimizzare le perdite di commutazione
• Questi sono dispositivi di Pb−Free
Applicazioni
• Riferisca alla nota di applicazione AND8195/D
• Fornitura di energia del CPU
• Convertitori di DC−DC
• Commutazione laterale bassa
VALUTAZIONI MASSIME (TJ = 25°C salvo indicazioni contrarie)
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Parametro |
Simbolo |
Valore |
Unità |
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Tensione di Drain−to−Source |
VDSS |
30 |
V |
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Tensione di Gate−to−Source |
VGS |
±20 |
V |
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Scolo continuo RqJA corrente (nota 1) |
Stato di stabilità |
TUM = 25°C |
Identificazione |
28 |
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TUM = 85°C |
20,5 |
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Dissipazione di potere RqJA (nota 1) |
TUM = 25°C |
Palladio |
2,7 |
W |
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Scolo continuo RqJA corrente (nota 2) |
TUM = 25°C |
Identificazione |
16 |
|
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TUM = 85°C |
12 |
||||
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Dissipazione di potere RqJA (nota 2) |
TUM = 25°C |
Palladio |
1,1 |
W |
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Scolo continuo RqJC corrente (nota 1) |
TC = 25°C |
Identificazione |
191 |
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TC = 85°C |
138 |
||||
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Dissipazione di potere RqJC (nota 1) |
TC = 25°C |
Palladio |
113,6 |
W |
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Corrente pulsata dello scolo |
TUM = 25°C, tp =10ms |
IDM |
288 |
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Temperatura di funzionamento di stoccaggio e della giunzione |
TJ, TSTG |
−55 a +150 |
°C |
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Corrente di fonte (diodo del corpo) |
È |
104 |
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Scolo alla fonte dV/dt |
dV/dt |
6 |
V/ns |
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Singola energia della valanga di Drain−to−Source di impulso (TJ =25°C, VDD =30V, VGS =10V, IL = 35 Apk, L = 1,0 MH, RG = 25 W) |
EAS |
612,5 |
mJ |
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Temperatura del cavo per gli scopi di saldatura (1/8 di ′ del ′ dall'argomento per 10 s) |
TL |
260 |
°C |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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