MOSFET N-Ch del transistor di potenza del Mosfet STP55NF06 60 volt 55 amp
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
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Metodo di pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Specifiche
Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:
18 mOhms
Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte:
2 V
Vgs - tensione di Portone-fonte:
10 V
Qg - tassa del portone:
44,5 nC
Temperatura di funzionamento minima:
- 55 C
Temperatura di funzionamento massima:
+ 175 C
Punto culminante:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Introduzione
MOSFET N-Ch del transistor di potenza del Mosfet STP55NF06 60 volt 55 amp
Caratteristiche
| Codice di ordine | VDSS | Massimo di RDS (sopra). | Identificazione |
| STB55NF06 | 60 V | < 0=""> | 50 A |
| STP55NF06 | |||
| STP55NF06FP |
1. Riferisca al soa per il valore corrente permissibile massimo su FP tipo dovuto il valore di Rth
- la valanga 100% ha provato
- Capacità eccezionale di dv/dt
Applicazioni
- Applicazione di commutazione
Descrizione
Questi MOSFETs di potere sono stati sviluppati facendo uso del processo unico dello STripFET di STMicroelectronics, che specificamente è destinato per minimizzare la capacità dell'input e la tassa del portone. Ciò rende i dispositivi adatte ad uso come commutatore primario in convertitori cc-cc isolati alto-efficienza avanzata per le Telecomunicazioni e le applicazioni informatiche e le applicazioni con la tassa bassa del portone che determina i requisiti.
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