Transistor di potenza 110 A, MOSFET del Mosfet STP110N8F6 di potere di STripFET F6 in un pacchetto TO-220
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
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Metodo di pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Specifiche
Palladio - dissipazione di potere:
200 W
Temperatura di funzionamento massima:
+ 175 C
Temperatura di funzionamento minima:
- 55 C
Qg - tassa del portone:
150 nC
Vgs - tensione di Portone-fonte:
10 V
Th di Vgs - tensione della soglia di Portone-fonte:
2,5 V
Punto culminante:
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
Introduzione
Transistor di potenza 110 A, MOSFET del Mosfet STP110N8F6 di potere di STripFET F6 in un pacchetto TO-220
Caratteristiche
|
Codice di ordine |
VDS |
RDS (sopra) massimo |
Identificazione |
PTOT |
|
STP110N8F6 |
80 V |
0,0065 Ω |
110 A |
200 W |
-
Su resistenza molto bassa
-
Tassa bassa stessa del portone
-
Alta irregolarità della valanga
-
Perdita di trasmettitore bassa del portone
Applicazioni
• Applicazioni di commutazione
Descrizione
Questo dispositivo è un MOSFET di potere di N-Manica sviluppato facendo uso della tecnologia di STripFETTM F6 con una nuova struttura del portone della fossa. Il MOSFET risultante di potere esibisce il RDS molto basso (sopra) in tutti i pacchetti.
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