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MosFET del MOSFET 25V NexFET N Ch PWR del transistor di potenza del Mosfet di CSD16556Q5B

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
MOSFET N-CH 25V 100A 8VSON
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
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Metodo di pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Specifiche
Resistenza su di Scolo-fonte di RDS:
1,2 mOhms
Tempo di aumento:
34 NS
Tempo di caduta:
13 NS
Tipo di prodotto:
MOSFET
Tempo di ritardo d'apertura tipico:
17 NS
Tempo di ritardo tipico di giro-Fuori:
25 NS
Punto culminante:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduzione

MosFET del MOSFET 25V NexFET N Ch PWR del transistor di potenza del Mosfet di CSD16556Q5B

Caratteristiche 1

  • Estremamente - resistenza bassa
  • Qg ultrabasso e Qgd

  • Resistenza termica bassa

  • Valanga valutata

  • Placcatura terminale libera del Pb

  • RoHS compiacente

  • Alogeno libero

  • FIGLIO 5 millimetri di × un pacchetto di plastica da 6 millimetri

2 applicazioni

  • Dollaro sincrono del Punto-de-carico nella rete, nelle Telecomunicazioni e nei sistemi informatici

  • Ottimizzato per le applicazioni sincrone del FET

Descrizione 3
Questa 25 V, 0,9 mΩ, il × 5 MOSFET di potere di NexFETTM del FIGLIO da 6 millimetri sono destinate per minimizzare le perdite nella rettifica sincrona ed in altre applicazioni di trasformazione dell'energia.

Valutazioni massime assolute

TUM = 25°C

VALORE TIPICO

UNITÀ

VDS

Tensione di Scolo--fonte

25

V

Qg

Totale della tassa del portone (4,5 V)

36

nC

Qgd

Portone--scolo della tassa del portone

12

nC

RDS (sopra)

Su resistenza di Scolo--fonte

VGS = 4,5 V

1,2

VGS =10V

0,9

VGS (Th)

Tensione della soglia

1,4

V

Dispositivo

Media

Qty

Pacchetto

Nave

CSD16556Q5B

bobina a 13 pollici

2500

FIGLI un pacchetto di plastica da 5 x 6 millimetri

Nastro e bobina

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