MOSFETs di potere del MOSFET 30V N-Ch NexFET del transistor di potenza del Mosfet di CSD17556Q5B
mosfet motor control circuit
,n channel mos field effect transistor
MOSFETs di potere del MOSFET 30V N-Ch NexFET del transistor di potenza del Mosfet di CSD17556Q5B
Caratteristiche 1
- Estremamente - resistenza bassa
-
Qg ultrabasso e Qgd
-
Resistenza del Basso termale
-
Valanga valutata
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Placcatura terminale senza piombo
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RoHS compiacente
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Alogeno libero
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FIGLIO 5 millimetri di × un pacchetto di plastica da 6 millimetri
2 applicazioni
-
Punto del dollaro sincrono del carico nella rete, nelle Telecomunicazioni e nei sistemi informatici
-
Rettifica sincrona
-
Applicazioni attive di Hotswap e del giunto circolare
Descrizione 3
Questo 30-V, 1,2 mΩ, MOSFET di potere di 5 di millimetro millimetri NexFETTM del × 6 è destinato per minimizzare le perdite nella rettifica sincrona ed in altre applicazioni di trasformazione dell'energia.
Riassunto del prodotto
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TUM = 25°C |
VALORE TIPICO |
UNITÀ |
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VDS |
Tensione di Scolo--fonte |
30 |
V |
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Qg |
Totale della tassa del portone (4,5 V) |
30 |
nC |
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Qgd |
Portone--scolo della tassa del portone |
7,5 |
nC |
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RDS (sopra) |
Su resistenza di Scolo--fonte |
VGS = 4,5 V |
1,5 |
mΩ |
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VGS =10V |
1,2 |
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VGS (Th) |
Tensione della soglia |
1,4 |
V |
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Informazioni del dispositivo
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DISPOSITIVO |
QTY |
MEDIA |
PACCHETTO |
NAVE |
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CSD17556Q5B |
2500 |
bobina a 13 pollici |
FIGLIO 5,00 millimetri di × un pacchetto di plastica da 6,00 millimetri |
Nastro e bobina |
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CSD17556Q5BT |
250 |
Valutazioni massime assolute
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TUM = 25°C |
VALORE |
UNITÀ |
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VDS |
Tensione di Scolo--fonte |
30 |
V |
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VGS |
Tensione di Portone--fonte |
±20 |
V |
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Identificazione |
Corrente continua dello scolo (pacchetto limitato) |
100 |
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Corrente continua dello scolo (silicio limitato), TC = 25°C |
215 |
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Corrente continua dello scolo (1) |
34 |
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IDM |
Corrente pulsata dello scolo, TUM = 25°C (1) (2) |
400 |
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Palladio |
Dissipazione di potere (1) |
3,1 |
W |
|
Dissipazione di potere, TC = 25°C |
191 |
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TJ, Tstg |
Giunzione di funzionamento, temperatura di stoccaggio |
– 55 - 150 |
°C |
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EAS |
Energia della valanga, singola identificazione =100A, L=0.1mH, RG =25Ω di impulso |
500 |
mJ |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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