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MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 del transistor di potenza del Mosfet SI4425DDY-T1-GE3

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
P-Manica 30 V 19.7A (TC) 2.5W (tum), supporto 8-SOIC della superficie 5.7W (TC)
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
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Metodo di pagamento:
Paypal, Western Union, TT
Specifiche
Produttore:
VISHAY
Categoria di prodotto:
MOSFET
Tecnologia:
Si
Montaggio dello stile:
SMD/SMT
Pacchetto/caso:
SO-8
Numero dei canali:
1 canale
Punto culminante:

mosfet motor control circuit

,

n channel mos field effect transistor

Introduzione

MOSFET -30V Vds 20V Vgs SO-8 del transistor di potenza del Mosfet SI4425DDY-T1-GE3

CARATTERISTICHE

  • senza alogeno secondo la definizione di IEC 61249-2-21
  • MOSFET di potere di TrenchFET®

  • 100% Rg provato

APPLICAZIONI

•Commutatori del carico

- Pc del taccuino

- Pc da tavolino

RIASSUNTO DEL PRODOTTO

VDS (v)

RDS (sopra) (Ω)

Identificazione (A) a

Qg (tipo.)

- 30

0,0098 a VGS = 10 V

- 19,7

27 nC

0,0165 a VGS = 4,5 V

- 15,2

TUM di VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE = °C 25, salvo indicazione contraria

Parametro

Simbolo

Limite

Unità

Tensione di Scolo-fonte

VDS

- 30

V

Tensione di Portone-fonte

VGS

± 20

Corrente continua dello scolo (TJ = °C) 150

TC =25°C

Identificazione

- 19,7

TC =70°C

- 15,7

TUM = °C 25

- 13b, c

TUM = °C 70

- 10.4b, c

Corrente pulsata dello scolo

IDM

- 50

Corrente di diodo continua dello Fonte-scolo

TC =25°C

È

- 4,7

TUM = °C 25

- 2.1b, c

Dissipazione di potere massima

TC =25°C

Palladio

5,7

W

TC =70°C

3,6

TUM = °C 25

2.5b, c

TUM = °C 70

1.6b, c

Gamma di temperature di funzionamento di stoccaggio e della giunzione

TJ, Tstg

- 55 - 150

°C

VALUTAZIONI DI RESISTENZA TERMICA

Parametro

Simbolo

Tipico

Massimo

Unità

Massimo Giunzione-a-Ambientb, d

≤ 10 s di t

RthJA

35

50

°C/W

Giunzione--piede massimo (scolo)

Stato di stabilità

RthJF

18

22

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