Chip di memoria flash di DRAM SOP-54 64 Mbit 143 megahertz ISSI IS42S16400J-7TLI per i monitor LCD
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
La memoria IC 64Mbit di SDRAM parallelizza 143 megahertz 5,4 il NS 54-TSOP II
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Serie:
IC
Tensione:
3.3V
Caratteristica:
Chip di memoria di DRAM
Applicazione:
Monitor LCD, schermo piatto TV, stampanti, GPS, MP3
Pacchetto:
SOIC-54
Frequenza di clock:
143 megahertz
Punto culminante:
IS42S16400J
,IS42S1
,IS42S16400J-7TLI
Introduzione
Marca del chip di memoria SOP-54 64 Mbit 143 megahertz ISSI di IS42S16400J-7TLI DRAM
DESCRIZIONI GENERALI
Il 64Mb DRAM sincrono di ISSI è organizzato come 1.048.576 banca di 16 bit la x 4 dei bit x per la prestazione migliore. I DRAM sincroni raggiungono il trasferimento di dati ad alta velocità facendo uso dell'architettura della conduttura. Tutti gli input e segnali in uscita si riferiscono al bordo in aumento dell'input di orologio.
CARATTERISTICHE
• Frequenza di clock: 200, 166, 143, 133 megahertz
• Completamente sincrono; tutti i segnali hanno fornito di rimandi ad un bordo di orologio positivo
• Banca interna per accesso/precarica nascondentesi di fila
• Singola alimentazione elettrica 3.3V
• Interfaccia di LVTTL
• Lunghezza scoppiata programmabile
– (1, 2, 4, 8, piena pagina)
• Sequenza scoppiata programmabile: Sequenziale/interfogli
• L'auto rinfresca i modi
• L'auto rinfresca (CBR)
• 4096 rinfrescano i cicli ogni grado (COM, Ind, A1) di 64 spettrografia di massa o 16ms (grado A2)
• Indirizzo di colonna casuale ogni ciclo di clock
• Latenza programmabile di CAS (2, 3 orologi)
• Letturi /scritturi scoppiati e lo scoppio colti/singoli scrivono la capacità di operazioni
• Termine di scoppio dalla fermata e dal comando scoppiati di precarica
Panoramica
Il 64Mb SDRAM è un CMOS ad alta velocità, memoria dinamica a accesso casuale destinata per funzionare nei sistemi di memoria 3.3V che contengono 67.108.864 bit. Internamente configurato come quadrato-banca DRAM con un'interfaccia sincrona. Ogni banca pungente 16.777.216 è organizzata come 4.096 file da 256 colonne da 16 bit. Il 64Mb SDRAM include un'AUTO RINFRESCA IL MODO e un risparmio di energia, spegne il modo. Tutti i segnali sono registrati sul bordo positivo del segnale di orologio, CLK. Tutti gli input ed uscite sono LVTTL compatibili. Il 64Mb SDRAM ha la capacità di scoppiare contemporaneamente i dati ad un alto tasso di dati con la generazione automatica di colonna-indirizzo, la capacità di interfogliare fra le banche interne per nascondere il tempo di precarica e la capacità di cambiare a caso gli indirizzi di colonna su ogni ciclo di clock durante l'accesso scoppiato. Una precarica auto-cronometrata di fila iniziata alla conclusione del sequenceisavailablewiththeAUTOPRECHARGEfunction scoppiato ha permesso a. Precarichi una banca mentre accedere ad una delle altre tre banche nasconderà i cicli di precarica e fornirà l'operazione senza cuciture, ad alta velocità, casuale. SDRAM ha letto e scrive gli accessi è cominciare orientato scoppio ad una posizione selezionata e continuare per un numero programmato delle posizioni in una sequenza programmata. La registrazione di un comando ATTIVO comincia gli accessi, seguiti da una COLTA DA o SCRIVE il comando. Il comando ATTIVO insieme con i pezzi di indirizzo registrati è usato per selezionare la banca e la fila da raggiungere (BA0, BA1 selezionano la banca; A0-A11 selezionano la fila). COLTA o SCRIVERE i comandi insieme con i pezzi di indirizzo registrati è usata per selezionare la posizione cominciante della colonna per l'accesso scoppiato. COLTA programmabile o SCRIVE le lunghezze scoppiate consiste di 1, 2, 4 e 8 posizioni, o della piena pagina, con uno scoppio per terminare l'opzione.
IS42S16400J-7TLI
IS42S16400F-7TLI
IS42S16100E-7TLI
IS42S16800F-7TLI
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