Chip di memoria flash di bassa tensione AT24C02D-SSHM-T con il PROM
serial flash memory
,serial flash chip
PROM di uso di Chip Generally di memoria flash di Atmel AT24C02D-SSHM-T
Descrizione
Il Atmel® AT24C01D/02D fornisce elettricamente 1,024/2,048 dei bit della pubblicazione periodica cancellabili ed il PROM (EEPROM) ha organizzato come 128/256 di parole di otto bit ciascuna. La caratteristica cascadable del dispositivo permette che fino a otto dispositivi dividano un bus a due fili comune. Questo il dispositivo è ottimizzato per uso in molte applicazioni industriali e commerciali dove l'operazione a bassa potenza ed a bassa tensione è essenziale. Entrambi i dispositivi sono disponibili in cavo di economia di spazio 8 SOIC, 8 il cavo TSSOP, 8 il cuscinetto UDFN, 8 il cavo PDIP (1), 5 cavo SOT23 e 8 pacchetti della palla VFBGA. L'intera famiglia dei pacchetti funziona a partire da 1.7V a 3.6V.
Caratteristiche
operazione di bassa tensione del
̶ 1.7V (VCC = 1.7V a 3.6V)
il internamente ha organizzato 128 x 8 (1K) o 256 x 8 (2K)
I2
Interfaccia seriale (a due fili) C-compatibile
modo standard del ̶ 100kHz, 1.7V a 3.6V
modo veloce del ̶ 400kHz, 1.7V a 3.6V
più veloce di modo del ̶ 1MHz (FM+), 2.5V a 3.6V
inneschi di Schmitt del , input filtrati per soppressione di rumore
protocollo bidirezionale del trasferimento di dati del
il protegge da scrittura il Pin per protezione dei dati completa dell'hardware di matrice
corrente attiva ultrabassa del (1mA massimo) e corrente standby (0.8μA massimi)
il una pagina da 8 byte il modo di scrittura
la pagina parziale del ̶ scrive conceduto
modi di lettura casuali e sequenziali del
il Auto-cronometrato scrive il ciclo all'interno di 5ms massimo
alta affidabilità del
resistenza del ̶: 1.000.000 scriva i cicli
conservazione di dati del ̶: 100 anni
opzioni verdi del pacchetto del (senza piombo/Halide-free/RoHS compiacenti)
cavo del ̶ 8 SOIC, 8 cavo TSSOP, 8 cuscinetto UDFN, 8 cavo PDIP (1), 5 cavo SOT23 e
8-ball VFBGA
il muore opzioni di vendita: Forma del wafer e nastro e bobina
Il AT24C01D internamente è organizzato come 16 pagine di 8 byte ciascuna mentre il AT24C02D è organizzato come 32 pagine di 8 byte ciascuna.
Oggetto regolare, in azione:
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|