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Chip di memoria flash del pacchetto SOIC8 EEPROMs - interfaccia di serie M24C02-WMN6TP di I2C

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
² C 400 chilociclo 900 NS 8-SOIC di IC 2Kbit I di memoria di EEPROM
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Serie:
M24C02
Tensione:
2.5V ~ 5.5V
Caratteristica:
Memoria IC di EEPROM
Capacità di memoria:
2Kb (256 x 8)
Applicazione:
Monitor LCD, schermo piatto TV, stampanti, GPS, MP3
Pacchetto:
SOIC8
Frequenza di clock:
400kHz
Interfaccia:
I2C EEPROMs-di serie
Punto culminante:

serial flash memory

,

serial flash chip

Introduzione

Interfaccia EEPROMs-di serie M24C02 di M24C02-WMN6TP SOIC-8 Chip Flash Memory Chip I2C

Descrizione:

Il M24C01 (C02) è un 1(2) - Kbit I2C-compatible EEPROM (elettricamente memoria programmabile cancellabile) organizzato come 128 (256) bit del × 8. Il M24C01/02-W può essere raggiunto con una tensione di rifornimento da 2,5 V - 5,5 V, il M24C01/02-R può essere raggiunto con una tensione di rifornimento da 1,8 V - 5,5 V e il M24C02-F può essere raggiunto neanche con una tensione di rifornimento da 1,7 V - 5,5 V (sopra la gamma di temperature completa) o con una tensione di rifornimento estesa da 1,6 V - 1,7 V se la temperatura è ridotta a 0 °C/85 °C. Tutti questi dispositivi funzionano con una frequenza di clock massima di 400 chilocicli.

Caratteristiche
• Compatibile con i modi del bus di I2C:
– 400 chilocicli
– 100 chilocicli
• Matrice di memoria:
– 1 Kbit (128 byte) di EEPROM
– 2 Kbit (256 byte) di EEPROM
– Dimensione di pagina: byte 16
• Tensione di semplice alimentazione:
– M24C01/02-W: 2,5 V - 5,5 V
– M24C01/02-R: 1,8 V - 5,5 V
– M24C02-F: 1,7 V - 5,5 V (gamma di temperature completa) e 1,6 V - 1,7 V (gamma di temperatura limite)
• Scriva:
– Il byte scrive presso spettrografia di massa 5
– La pagina scrive presso spettrografia di massa 5
• Gamma di temperatura di funzionamento:
– dal °C fino a +85 del °C -40
• Modi di lettura casuali e sequenziali
• Protegga da scrittura di intera matrice di memoria
• Protezione migliorata di ESD/Latch-Up
• Più di 4 milioni scrivono i cicli
• Più di 200 anni di conservazione di dati

Applicazioni

Computer & unità periferiche di computer, industriale, comunicazioni & rete, prodotti elettronici di consumo

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