FPGAs - KB programmabile di IC Chip Gate Arrays XC6SLX9-2TQG144C RAM Size 72 del campo
programming ic chips
,XC6SLX9
,XC6SLX9-2TQG144C
FPGAs - chip programmabile XC6SLX9-2TQG144C di IC di gate array programmabili del campo
Caratteristiche tecniche
|
Fisico
|
|
| Caso/pacchetto | TQFP |
| Deposito per contatto | Latta |
| Supporto | Supporto di superficie |
| Numero dei perni | 144 |
|
Tecnico
|
|
| Max Operating Temperature | °C 85 |
| Max Supply Voltage | 1,26 V |
| Min Operating Temperature | 0 °C |
| Min Supply Voltage | 1,14 V |
| Numero di I/Os | 102 |
| Numero dei blocchetti di logica (laboratori) | 1430 |
| Numero degli elementi di logica/cellule | 9152 |
| Numero di Macrocells | 9152 |
| Numero dei registri | 11440 |
| Tensione di rifornimento di funzionamento | 1,2 V |
| RAM Size | 72 KB |
| Grado di velocità | 2 |
|
Dimensioni
|
|
| Altezza | 1,45 millimetri |
| Lunghezza | 20 millimetri |
| Larghezza | 20 millimetri |
|
Conformità
|
|
| PORTATA SVHC | Sconosciuto |
| RoHS | Compiacente |
Caratteristiche elettriche di Spartan-6 FPGA
Spartan®-6 LX FPGAs sono disponibili in -3, in -3N, in -2 e nei gradi della velocità di -1L, con -3 che ha il rendimento elevato. Spartan-6 LXT FPGAs sono disponibili in -3, -3N e -2 gradi della velocità, con -3 che ha il rendimento elevato. Le caratteristiche di CC e di CA di Spartan-6 FPGA sono specificate per sia i gradi commerciali che industriali. Eccetto la gamma di temperatura di funzionamento o salvo indicazione contraria, tutti i parametri elettrici di CA e di CC sono gli stessi per un grado particolare della velocità (cioè le caratteristiche della sincronizzazione di un dispositivo industriale del grado della velocità -2 sono le stesse di per un dispositivo commerciale del grado della velocità -2). Tuttavia, soltanto i gradi della velocità e/o i dispositivi selezionati hanno potuto essere disponibili nella gamma industriale. Il grado della velocità di Spartan-6 FPGA -3N designa i dispositivi che non sostengono la funzionalità di MCB
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
|
|
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
|
|
|
|
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
|
|
|
|
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
|
|
|
|
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
|
|
|
|
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
|
|
|
|
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
|
|
|
|
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
|
|
|
|
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
|