Il transistor allinea 7 la gestione IC ULN2003ADR di potere di NPN DarliCM GROUPon 16-SOIC
ULN2003ADR
,SOP16 Power Management IC
,Transistor Array Power Management IC
Il transistor di ULN2003ADR allinea 7 il supporto di superficie 16-SOIC di NPN DarliCM GROUPon 50V 500mA
Descrizione
I ULN2001, i ULN2002, i ULN2003 e i ULN 2004 sono matrici ad alta tensione e a corrente forte ciascuna di DarliCM GROUPon che contiene sette paia aperte di DarliCM GROUPon del collettore con gli emettitori comuni. Ogni canale è stimato a 500 mA e può resistere ai picchi di corrente di 600 mA. I diodi di soppressione sono inclusi per il carico induttivo che guida e gli input sono appuntati di fronte alle uscite per semplificare la disposizione del bordo.
Le versioni collegano a tutte le famiglie comuni di logica: ULN2001 (uso generale, DTL, TTL, PMOS, CMOS); V PMOS DI ULN2002 (14 - 25); ULN2003 (5 V TTL, CMOS); V CMOS, PMOS DI ULN2004 (6 - 15).
Questi dispositivi versatili sono utili per determinare una vasta gamma di carichi compreso i solenoidi, i motori di CC del relè, lampade ad incandescenza dell'esposizione di LED, testine di stampa termiche ed amplificatori ad alta potenza.
I ULN2001A/2002A/2003A e i 2004A sono forniti in un pacchetto della IMMERSIONE di 16 perni con un leadframe di rame per ridurre la resistenza termica. Sono disponibili inoltre in piccolo pacchetto del profilo (SO-16) come ULN2001D1/2002D1/2003D1/2004D1.
Caratteristiche
sette DarliCM GROUPons per pacchetto
il la corrente d'uscita 500 mA per driver (picco di 600 mA)
tensione in uscita 50 V del
il ha integrato i diodi di soppressione per i carichi induttivi
le uscite del possono essere parallelizzate per più a corrente forte
input compatibili del TTL/CMOS/PMOS/DTL
il ha introdotto i perni disposti di fronte ai perni dell'uscita per semplificare la disposizione
| Numero del pezzo | Pacchetto |
| ULN2001A | DIP-16 |
| ULN2002A | DIP-16 |
| ULN2003A | DIP-16 |
| ULN2004A | DIP-16 |
| ULN2001D1013TR | SO-16 in nastro ed in bobina |
| ULN2002D1013TR | SO-16 in nastro ed in bobina |
| ULN2003D1013TR | SO-16 in nastro ed in bobina |
| ULN2004D1013TR | SO-16 in nastro ed in bobina |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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