Pacchetto originale doppio DIP16 della st dei regolatori di commutazione del modulo del diodo di raddrizzatore di SG2525AN
schottky barrier rectifier diode
,linear voltage regulator
Pacchetto originale doppio DIP16 della st dei regolatori di commutazione di SG2525AN
Le serie di SG3525A di circuiti grattati inte- del modulatore di larghezza di impulso sono destinate per offrire migliorato per formance e conteggio esterno abbassato delle parti una volta utilizzate nella progettazione di tutti i tipi di pieghe di commutazione del sup di potere. Il su chip + un riferimento di 5,1 V è sistemato a ± 1% e la gamma del comune-modo dell'input dell'amplificatore di errori comprende la tensione di riferimento che elimina le resistenze esterne. Un input di sincronizzazione alle unità multiple di minimi di Al dell'oscillatore da assoggettare o ad una singola unità da sincronizzare ad un orologio di sistema esterno. Una singola resistenza fra il CT ed i terminali di scarico fornisce una vasta gamma di justment dell'annuncio di tempo morto. Questi dispositivi inoltre caratterizzano i circuiti incorporati di morbido inizio con soltanto un condensatore cronometrare esterno richiesto. I comandi di un terminale di arresto sia il circu- di morbido inizio ity che gli stadi di uscita, fornenti il giro istantaneo fuori tramite il fermo di PWM l'arresto pulsato come pure l'morbido inizio riciclano con i comandi di arresto più lunghi. Queste funzioni sono inoltre controllo principale da una serrata di undervoltage che tiene il fuori rimanda ed il condensatore di morbido inizio scaricato per le tensioni in ingresso al di sotto della norma. Cludes in- circa 500 sistemi MV di questi circuiti di serrata di isteresi per l'operazione libera del nervosismo. Un'altra caratteristica di questi cuits del CIR di PWM è un fermo che segue il comparatore. Una volta che gli impulsi di un PWM è stato terminato per tutta la ragione, le uscite rimarranno fuori per la durata del riod del pe. Il fermo è risistemato con ogni impulso di temporizzazione. Gli stadi di uscita sono progettazioni del totem capaci di sourcing o di affondamento al di sopra di 200 mA. Le caratteristiche NÉ la logica dello stadio di uscita di SG3525A, dante un'uscita BASSA per FUORI uno stato.
.5.1 RIFERIMENTO DI V SISTEMATO A ± 1%
ARRESTO DI PULSE-BY-PULSE
. SERRATA INTRODOTTA DI ETÀ DI UNDERVOL T CON ISTERESI
.LATCHING PWM PER IMPEDIRE MULT
Commutazione ad alta velocità
Protezione inversa di polarità
Diodo di commutazione
Diodo delle TV
Diodo di raddrizzatore di Schottky
Diodo di raddrizzatore veloce di recupero
Regolatore
Transistor
Mosfet
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Domestico: Holtek, XLSEMI
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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