Transistor di potenza 100V 40A 200W TO-220 IRF5210PBF del Mosfet della IMMERSIONE di Manica di P senza piombo
n channel mosfet transisto
,p channel mosfet transistor
IRF5210PBF P-Channel 100V 40A 200W TO-220 DIP Mosfet Transistor di potenza
Descrizione
Gli HEXFET di quinta generazione di International Rectifier utilizzano tecniche di elaborazione avanzate per ottenere una resistenza on per area di silicio estremamente bassa.Questo vantaggio, combinato con l'elevata velocità di commutazione e il design robusto del dispositivo per cui i MOSFET di potenza HEXFET sono ben noti, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente e affidabile da utilizzare in un'ampia varietà di applicazioni.
Il pacchetto TO-220 è universalmente preferito per tutte le applicazioni commerciali-industriali con livelli di dissipazione di potenza fino a circa 50 watt.La bassa resistenza termica e il basso costo del pacchetto del TO-220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto il settore.
Caratteristiche
l Tecnologia di processo avanzata
l Ultra Low On-Resistance
l Classificazione dinamica dv/dt
l Temperatura di esercizio 175°C
l Commutazione rapida
l Canale P
l Completamente valutato per le valanghe
l senza piombo
Transistor di potenza Mosfet In elenco:
IR1010NSPBF
IR2110PBF
IR2101STRPBF
IRLML2060TRPBF
IRLML9303TRPBF
IRLR8726TRPBF
IRLR2905ZPBF
IRLR8726TRLPBF
IRLR3636TRPBF
IRF7205TRPBF
IRFB4110PBF
IRF540ZSTRLPBF
IRF7342TRPBF
IRFZ48NPBF
IRF5210PBF
IRFD9120PBF
IRFR9310PBF
IRFR3607TRPBF
IRFZ48NPBF
IRFZ44N
IRF4905
IRF1010NSTRLPBF
IRF1404PBF
IRF7306TRPBF
IRF3710SPBF
IRF7455PBF
IRF730PBF
IRF7220TRPBF
IRF7406TRPBF
IRF7204TRPBF
IRF7301TRPBF
IRF7303TRPBF
IRF740PBF
IRF7424PBF/TRPBF
IRFR7546TRPBF
IRFR9024PBF
IRG4PC40KPBF
IRGP4068DPBF
IRG4PC50UDPBF
IRLZ44NPBF
IRLR024NTRPBF
IRLML6244TRPBF
IRL3803PBF
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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