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Transistor del Mosfet di Manica di IRF9540NPBF P, transistor di commutazione veloce di 100V 23A

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
P-Manica 100 V 23A (TC) 140W (TC) attraverso il foro TO-220AB
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Serie:
Transistor del trasporto della IMMERSIONE
Applicazione:
Generalità del circuito principale
Pacchetto:
Attraverso il foro TO-220
Tensione:
100V
Qualità:
Tecnologia della trasformazione avanzata
Corrente:
23A
Punto culminante:

n channel mosfet transisto

,

high speed mosfet transistor

Introduzione

Potere del MOSFET del transistor di commutazione di Manica IRF9540NPBF TO-220 100V 23A di P alto

Descrizione

La quinta generazione HEXFET s dal raddrizzatore internazionale utilizza le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET® sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni.

Il D-Pak è progettato per il montaggio di superficie facendo uso della fase di vapore, dell'infrarosso, o delle tecniche di saldatura dell'onda. La versione diritta del cavo (serie di IRFU) è per il attraverso-foro che monta le applicazioni. I livelli della dissipazione di potere fino a 1,5 watt sono possibili nelle applicazioni di superficie tipiche del supporto.


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