Resistenza su ultrabassa di temperatura di funzionamento del transistor di potenza 175°C del Mosfet di IRF3205PBF
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
N-Manica 55 V 110A (TC) 200W (TC) attraverso il foro TO-220AB
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Serie:
IRF3205PBF
Applicazione:
velocità di commutazione veloce e dispositivo reso resistente
Pacchetto:
TO-220
Nome:
Transistor di potenza del Mosfet
Punto culminante:
n channel mosfet transisto
,p channel mosfet transistor
Introduzione
? Transistor del MOSFET del MOSFET 55V 98A TO-220 di potere di IRF3205PbF HEXFET®
Descrizione
I MOSFETs avanzati di potere di HEXFET® dal raddrizzatore internazionale utilizzano le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio. Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Il pacchetto TO-220 è preferito universalmente per tutte le applicazioni di commerciale-industriale ai livelli della dissipazione di potere a circa 50 watt. La resistenza termica bassa ed il costo basso del pacchetto del TO-220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto l'industria.
Caratteristiche
- Tecnologia della trasformazione avanzata
- ? Su resistenza ultrabassa
- ? Valutazione dinamica di dv/dt
- ? temperatura di funzionamento 175°C
- ? Commutazione veloce
- ? Completamente valanga valutata
- ? Senza piombo
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10pcs