chip del circuito integrato 4N33, accoppiatore ottico di PhotodarliCM GROUPon delle componenti di elettronica di potenza
electronics ic chip
,integrated circuit components
Chip del circuito integrato 4N33
ACCOPPIATORE FOTOGRAFICO PHOTODARLICM GROUPON
Classificazione della temperatura di riflusso di picco RoHS 245°C Prestazioni conformi a IEEE 802.3af/ANSI X3.263 Progettato per telefoni IP o applicazioni switch
LISTA DI MAGAZZINO
| CI SN74LS244N | TI | 64AH70K/5ACCLLK | DIP-20 |
| CI74HC238D | 1640 | SOP-16 | |
| CI P8255A5 (non L8320146) | INTEL | L5171029 | DIP-40 |
| CIHEF4051BT | 1622+ | SOP-16 | |
| NUMERO DI SERIE CI IBUTTON DS1990A-F5+ |
DALLAS | 1631 | PULSANTE |
| CIM27C2001-10F1 | ST | 1211K | CDIP 32 |
| TRANS IRF540NPBF | IR | P632D | A-220 |
| TRIAC BT151-500R | PJA603 | A-220 | |
| CI MC908MR16CFUE | FREESCAL | 1341 | LQFP-64 |
| CI74HC245DB,118 | 1619 | SSOP-20 | |
| CI MCP130T-315I/TT | MICROCHIP | PLEP | SOT23-3 |
| DIODO RGF1M-E3/67A | VISHAY | RM/5B | SMA |
| CI74HC244DB,118 | 1418 | SSOP-20 | |
| CI74LVC139D | 1213 | SOP-16 | |
| CILD1086V33 | ST | 829/833 | A-220 |
| DIODO TPD4E001DBVR | TI | NFY5 | SOT23-6 |
| TRIAC BT151-500R | PJA603 | A-220 | |
| S5M-E3/57T | VISHAY | 1632/5M | SMC |
| DIODO LED VSLB3940 | VISHAY | 10+ | DIP-2 |
| MMBT3906LT1G | SU | 1642/2A | SOT-23 |
| DIODO BAS16LT1G | SU SEMI | 1640/A6 | SOT-23 |
| MBR3045CTP | DIODI | 1024 | A-220 |
| GBU6M | VISHAY | 1510L | DIP-4 |
| GBU608 | SETTEMBRE | 16+ | DIP-4 |
| SENSORE KTY11-6 Q62705-K246 |
T6/S76 | TO-92 | |
| AD590KH | ANNO DOMINI | 1406 | CAN3 |
| CI ICL7660CBAZ | INTERSIL | V1608BA | SOP-8 |
| CIPC817C | AFFILATO | H41 | DIP-4 |
| TRANS TIP127 (ROHS) | ST | 608 | A-220 |
| OPTO 4N25M | FSC | 645Q |
DIP-6 |
Caratteristica
• Rapporto di trasferimento corrente molto elevato, 500% min.
• Resistenza di isolamento elevata, 1011 Ω tipica
• Pacchetto DIP in plastica standard
• Fascicolo di laboratorio dei sottoscrittori n. E52744
• Approvazioni VDE n. 0884
DESCRIZIONE
Il 4N32 e il 4N33 sono isolatori accoppiati otticamente con un LED a infrarossi all'arseniuro di gallio e un sensore fotodarliCM GROUPon al silicio.La commutazione può essere ottenuta mantenendo un elevato grado di isolamento tra i circuiti di azionamento e di carico.
Questi optoaccoppiatori possono essere utilizzati per sostituire i relè reed e al mercurio con vantaggi di lunga durata, commutazione ad alta velocità ed eliminazione dei campi magnetici.
Valutazioni massime
Tensione inversa di picco dell'emettitore ......................................3 V
Corrente diretta continua ................................60 mA
Dissipazione di potenza a 25°C................................100 mW
Declassamento lineare da 55°C...................1,33 mW/°C
Tensione di rottura collettore-emettitore rivelatore, BVCEO ............................................. ................ 30 V
Tensione di rottura base emettitore, BVEBO ............................................. .................. 8V
Tensione di rottura base collettore, BVCBO ............................................. ............. 50 V
Tensione di rottura emettitore-collettore, BVECO .............................................. ................. 5 V
Collettore (carico) Corrente...................................125 mA
Dissipazione di potenza a 25°C ambiente .........150 mW
Declassamento lineare da 25°C......................2,0 mW/°C
Pacchetto Dissipazione totale a 25°C ambiente .............250 mW
Declassamento lineare da 25°C......................3,3 mW/°C
Tensione di prova di isolamento ..................5300
VACRMS tra emettitore e rivelatore, clima standard: 23°C/50% RH,
DIN 50014 Percorso di perdita ................................. 7 mm min.
Percorso dell'aria................................................ ... 7mm min.
Diodo di commutazione veloce di caso di RoHS SOD123 SOT23 1N4148W-E3-08
ZOLLA di LL42-GS08 30V 200mA - 80 diodi Schottky del segnale
Tensione VISHAY del contrappeso di potere di impulso di punta SMBJ170A-E3/52 600W 17V
Manica IRFP9240PBF del Mosfet 12A 200V P di potere di TO-247 VISHAY
VO0630T Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE
resistenze MMB02070C1802FB200 di 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF
MMB02070C1004FB200 stato attivo della parte dell'anti film dello zolfo SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin
Resistenza a film metallico di KOhms ±1% MELF 0207 della resistenza di film sottile MMB02070C1503FB200 150
Resistenza di ohm 390k di SMM02040C3903FB300 MELF 0204, resistenza di zavorra automobilistica dell'anti zolfo