Invia messaggio
Casa > prodotti > Chip di IC di memoria flash > CY7C1372D-167AXI Circuito integrato Chip 18 Mbit Pipeline SRAM

CY7C1372D-167AXI Circuito integrato Chip 18 Mbit Pipeline SRAM

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
SRAM - Sincrona, la memoria IC 18Mbit di DSR parallelizza 167 megahertz 3,4 il NS 100-TQFP (14x20)
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Temperatura di stoccaggio:
– 65°C a +150°C
Temperatura ambiente con potere applicato:
– 55°C a +125°C
Tensione di rifornimento su VDD riguardante terra:
– 0.5V a +4.6V
CC alle uscite in di tre stati:
– 0.5V a VDDQ + 0.5V
La CC la tensione in ingresso:
– 0.5V a VDD + 0.5V
Corrente nelle uscite (BASSE):
20 mA
Punto culminante:

electronics ic chip

,

integrated circuit components

Introduzione

 

CY7C1370D

CY7C1372D

SRAM pipeline da 18 Mbit (512 K x 36/1 M x 18) con architettura NoBL™

 

Caratteristiche

• Pin-compatibile e funzionalmente equivalente a ZBT™

• Supporta operazioni bus a 250 MHz con zero stati di attesa

— I gradi di velocità disponibili sono 250, 225, 200 e 167 MHz

• Controllo interno del buffer di output con temporizzazione automatica per eliminare la necessità di utilizzare l'ambiente operativo asincrono

• Completamente registrato (input e output) per il funzionamento in pipeline

• Capacità di scrittura byte

 

• Alimentazione singola da 3,3V

• Alimentazione 3.3V/2.5VI/O

• Tempi rapidi di clock-output

— 2,6 ns (per dispositivo a 250 MHz)

— 2,8 ns (per dispositivo a 225 MHz)

— 3,0 ns (per dispositivo a 200 MHz)

— 3,4 ns (per dispositivo a 167 MHz)

 

• Pin Clock Enable (CEN) per sospendere il funzionamento

• Scritture autosincrone sincrone

• Disponibile in pacchetti senza piombo 100 TQFP, 119 BGA e 165 fBGA

• Scansione di confine JTAG IEEE 1149.1

• Capacità di burst: ordine di burst lineare o interlacciato

• Opzione modalità Sleep “ZZ” e opzione Stop Clock

 

descrizione funzionale

CY7C1370D e CY7C1372D sono rispettivamente SRAM burst pipeline sincrone da 3,3 V, 512 K x 36 e 1 Mbit x 18 con logica No Bus Latency™ (NoBL™).Sono progettati per supportare operazioni di lettura/scrittura back-to-back illimitate senza stati di attesa.I CY7C1370D e CY7C1372D sono dotati della logica avanzata (NoBL) necessaria per consentire operazioni di lettura/scrittura consecutive con il trasferimento dei dati a ogni ciclo di clock.Questa funzione migliora notevolmente il throughput dei dati nei sistemi che richiedono frequenti transizioni scrittura/lettura.I dispositivi CY7C1370D e CY7C1372D sono compatibili con i pin e funzionalmente equivalenti ai dispositivi ZBT.

 

Tutti gli ingressi sincroni passano attraverso i registri di ingresso controllati dal fronte di salita del clock.Tutti i dati in uscita passano attraverso i registri di uscita controllati dal fronte di salita del clock.L'ingresso di clock è qualificato dal segnale Clock Enable (CEN), che quando deasserito sospende il funzionamento ed estende il ciclo di clock precedente.

 

Le operazioni di scrittura sono controllate dai Byte Write Selects (BWUN–BWDper CY7C1370D e BWUN–BWBper CY7C1372D) e un ingresso Write Enable (WE).Tutte le scritture sono condotte con circuiti di scrittura auto-temporizzati sincroni su chip.

 

Tre Chip Enables sincroni (CE1, CE2, CE3) e un Output Enable (OE) asincrono consentono una facile selezione del banco e un controllo a tre stati dell'uscita.Per evitare la contesa del bus, i driver di uscita vengono dichiarati in modo sincrono durante la porzione di dati di una sequenza di scrittura.

 

Schema a blocchi logici-CY7C1370D (512K x 36)

 

 

Schema a blocchi logici-CY7C1372D (1 Mbit x 18)

 

 

Valutazioni massime

(Al di sopra del quale la vita utile potrebbe essere compromessa. Per le linee guida dell'utente, non testato.)

Temperatura di conservazione ................................................ ......................da –65°C a +150°C

Temperatura ambiente con alimentazione applicata................................................–55°C a +125°C

Tensione di alimentazione su VDD relativa a GND.............................................. da –0,5V a +4,6V

Da CC a uscite in Tri-State .......................................... .......... Da –0,5 V a VDDQ + 0,5 V

Tensione di ingresso CC.............................................. ..................–da –0,5 V a VDD + 0,5 V

Corrente nelle uscite (BASSA) ............................................. ................................ 20mA

Tensione di scarica statica ............................................. .......................... > 2001V

(secondo MIL-STD-883, metodo 3015)

Corrente di latch-up................................................. .......................................... > 200mA


 

 

 

 

Offerta di azioni (vendita a caldo)

Parte n. Quantità Marca CC Pacchetto
ADM2485BRWZ 1997 ANNO DOMINI 16+ SOP
H1061 1997 COLPO 14+ A-220
30CPF04 1998 IR 14+ TO-3P
BYV32E-200 1999 14+ A-220
PC400 1999 AFFILATO 16+ SOP
2N5551 2000 SU 16+ TO-92
2SK2225 2000 RENESAS 13+ TO-3P
4N35 2000 VISHAY 15+ DIP6
74HC125D 2000 16+ SOP
ADXRS620BBGZ 2000 ADI 16+ GBA
AP40T03GS 2000 APEC 14+ TO-263
AT89C51-24PC 2000 ATMEL 14+ DIP40
BB405 2000 PH 14+ DO-34
BTA10-600B 2000 ST 16+ T0-220
BU2508DX 2000 PHI 16+ TO-3P
CA3420E 2000 INTERSIL 13+ DIP8
FQP4N90 2000 FSC 15+ A-220
IRFP3710 2000 IR 16+ A-247
IRFZ44NPBF 2000 IR 16+ A-220
IRS21064S 2000 IR 14+ SOP14
L4981A 2000 ST 14+ SOP20
LD1117DT33TR 2000 ST 14+ A252
LM317K 2000 UTC 16+ TO220
LM340MPX-5.0 2000 NS 16+ SOT-223
LM386MX-1 2000 NS 13+ SOP8
LPC2378FBD 2000 15+ QFP144
MAX3160EAP 2000 MASSIMA 16+ SSOP20
MAX6902ETA 2000 MASSIMA 16+ QFN
MC68HC11E1CFNE2 2000 FREESCAL 14+ PLCC-52
MJE15032G 2000 SU 14+ TO220

 

 

 

 

PRODOTTI RELATIVI
Immagine parte # Descrizione
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE

SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE

RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
Invii il RFQ
Di riserva:
MOQ:
10pcs