M93S46-WMN6TP EEPROM ad accesso seriale MICROWIRE con blocco di protezione

M93S46-WMN6TP EEPROM ad accesso seriale MICROWIRE con blocco di protezione

RIEPILOGO DELLE CARATTERISTICHE

Bus MICROWIRE standard del settore

Tensione di alimentazione singola: – da 4,5 a 5,5 V per M93Sx6 – da 2,5 a 5,5 V per M93Sx6-W – da 1,8 a 5,5 V per M93Sx6-R Organizzazione singola: per parola (x16)

Istruzioni di programmazione che funzionano su: Word o memoria intera

Ciclo di programmazione autoscatto con AutoErase

Area protetta da scrittura definita dall'utente

Modalità di scrittura della pagina (4 parole)

Segnale di pronto/occupato durante la programmazione

Velocità:

– Frequenza di clock di 1 MHz, tempo di scrittura di 10 ms (prodotto corrente, identificato dalla lettera di identificazione del processo F o M) – Frequenza di clock di 2 MHz, tempo di scrittura di 5 ms (prodotto nuovo, identificato dalla lettera di identificazione del processo W o G) Operazione di lettura sequenziale

Comportamento ESD/Latch-Up migliorato

Più di 1 milione di cicli di cancellazione/scrittura

Più di 40 anni di conservazione dei dati

DESCRIZIONE SINTETICA

Questa specifica copre una gamma di prodotti di memoria programmabile elettricamente cancellabile (EEPROM) seriale da 4K, 2K, 1K bit (rispettivamente per M93S66, M93S56, M93S46).In questo testo, questi prodotti sono indicati collettivamente come M93Sx6.

Si accede all'M93Sx6 attraverso un ingresso seriale (D) e un'uscita (Q) utilizzando il protocollo bus MICROWIRE.La memoria è suddivisa in word da 256, 128, 64 x16 bit (rispettivamente per M93S66, M93S56, M93S46).L'M93Sx6 è accessibile da una serie di istruzioni che include Read, Write, Page Write, Write All e le istruzioni utilizzate per impostare la protezione della memoria.Questi sono riassunti nella Tabella 2. e nella Tabella 3.).Un'istruzione Read Data from Memory (READ) carica l'indirizzo della prima parola da leggere in un puntatore di indirizzo interno.I dati contenuti a questo indirizzo vengono quindi timbrati in modo seriale.Il puntatore dell'indirizzo viene incrementato automaticamente dopo l'uscita dei dati e, se l'ingresso Chip Select (S) viene mantenuto alto, l'M93Sx6 può emettere un flusso sequenziale di parole di dati.In questo modo, la memoria può essere letta come un flusso di dati da 16 a 4096 bit (per l'M93S66), o in modo continuo mentre il contatore degli indirizzi passa automaticamente a 00h quando viene raggiunto l'indirizzo più alto.Nel tempo richiesto da un ciclo di programmazione (tW), è possibile scrivere fino a 4 word con l'ausilio dell'istruzione Page Write.l'intera memoria può anche essere cancellata, o impostata su uno schema predeterminato, utilizzando l'istruzione Write All.All'interno della memoria, un'area definita dall'utente può essere protetta da ulteriori istruzioni di scrittura.La dimensione di quest'area è definita dal contenuto di un registro di protezione, situato all'esterno dell'array di memoria.Come fase di protezione finale, i dati possono essere protetti in modo permanente programmando un bit di programmazione una tantum (bit OTP) che blocca il contenuto del registro di protezione.La programmazione è temporizzata internamente (il segnale di clock esterno su Serial Clock (C) può essere interrotto o lasciato in esecuzione dopo l'inizio di un ciclo di scrittura) e non richiede un ciclo di cancellazione prima dell'istruzione di scrittura.L'istruzione Write scrive 16 bit alla volta in una delle locazioni word dell'M93Sx6, l'istruzione Page Write scrive fino a 4 word di 16 bit in locazioni sequenziali, presupponendo in entrambi i casi che tutti gli indirizzi siano al di fuori dell'area protetta da scrittura.Dopo l'inizio del ciclo di programmazione, un segnale Busy/Ready è disponibile su Serial Data Output (Q) quando Chip Select Input (S) è impostato su High.