M29W640FB70N6E Chip Ic di programmazione 64 Mbit (8 Mb x8 o 4 Mb x16, pagina, blocco di avvio) Alimentazione 3 V Memoria flash
programming ic chips
,programmable audio chip
M29W640FB Chip Ic di programmazione 64 Mbit (8 Mb x8 o 4 Mb x16, pagina, blocco di avvio) Alimentazione 3 V Memoria flash
Riepilogo delle caratteristiche
• Tensione di alimentazione
– vCC= da 2,7 V a 3,6 V per programma, cancella, leggi
– vPP=12 V per programma veloce (opzionale)
• Lettura casuale/pagina asincrona
– Larghezza pagina: 4 parole
– Accesso alla pagina: 25ns
– Accesso casuale: 60ns, 70ns
• Tempo di programmazione
– 10 µs per byte/parola tipico
– Programma 4 parole/8 byte
• 135 blocchi di memoria
– 1 blocco di avvio e 7 blocchi di parametri, 8 KByte ciascuno (posizione superiore o inferiore)
– 127 blocchi principali, 64 KByte ciascuno
• Programma/cancella controller
– Algoritmi programma byte/parola incorporati
• Programma/Cancella Sospendi e Riprendi
– Leggi da qualsiasi blocco durante la sospensione del programma
– Leggere e programmare un altro blocco durante Erase Suspend
• Comando di sblocco del programma di esclusione
– Produzione più rapida/Programmazione batch
• vPP/WP pin per Fast Program e Write Protect
• Modalità blocco temporaneo non protetto
• Interfaccia Flash comune
– Codice di sicurezza a 64 bit
• Blocco di memoria esteso
– Blocco aggiuntivo utilizzato come blocco di sicurezza o per memorizzare informazioni aggiuntive
• Basso consumo energetico
– Standby e Standby automatico
• 100.000 cicli di programmazione/cancellazione per blocco
• Firma elettronica
– Codice produttore: 0020h
Voto massimo
Sollecitare il dispositivo al di sopra della valutazione indicata nella tabella Valori massimi assoluti può causare danni permanenti al dispositivo.L'esposizione a condizioni di valutazione massima assoluta per periodi prolungati può influire sull'affidabilità del dispositivo.Questi sono solo valori di sollecitazione e il funzionamento del dispositivo in queste o in altre condizioni superiori a quelle indicate nelle sezioni operative di questa specifica non è implicito.Fare riferimento anche al programma SURE di STMicroelectronics e ad altri documenti sulla qualità pertinenti.
Valutazioni massime assolute
| Simbolo | Parametro | min | Massimo | Unità |
| TPREGIUDIZIO | Temperatura sotto polarizzazione | –50 | 125 | °C |
| TSTG | Temperatura di conservazione | -65 | 150 | °C |
| vIO | Tensione di ingresso o uscita(1)(2) | –0,6 | vCC+0,6 | v |
| vCC | Tensione di alimentazione | –0,6 | 4 | v |
| vID | Tensione di identificazione | –0,6 | 13.5 | v |
| vPP (3) | Tensione di programma | –0,6 | 13.5 | v |
1. La tensione minima può scendere fino a –2 V durante la transizione e per meno di 20 ns durante le transizioni.
2. La tensione massima può superare VCC +2V durante la transizione e per meno di 20 ns durante le transizioni.
3.VPPnon deve rimanere a 12V per più di un totale di 80 ore.
Pacchetti
Diagramma logico
Connessioni TSOP
Connessioni TFBGA48(Vista dall'alto attraverso il pacchetto)
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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