MB85RS256BPNF-G-JNERE1 Chip IC programmabili Chip elettronico Ic Chip TV a colori Ic Memory Flash Chip
programming ic chips
,programmable audio chip
MB85RS256BPNF-G-JNERE1 Programma Ic Electronic Ic Chip
Memoria FRAM CMOS 256 K (32 K ] 8) Bit SPI
CARATTERISTICHE:
• Configurazione bit: 32.768 × 8 bit
• Tensione di alimentazione operativa: da 3,0 V a 3,6 V
• Frequenza operativa: 15 MHz (max)
• Interfaccia periferica seriale: SPI (Serial Peripheral Interface) corrispondente alla modalità SPI 0 (0, 0) e alla modalità 3 (1, 1)
• Intervallo di temperatura di esercizio: da −20 °C a +85 °C
• Conservazione dei dati: 10 anni (+55 °C)
• Alta resistenza 10 miliardi di letture/scritture (min)
• Confezione: SOP in plastica a 8 pin (FPT-8P-M02)
Descrizione generale
MB85RS256 è un chip FRAM (Ferroelectric Random Access Memory) in una configurazione di 32.768 parole × 8 bit, che utilizza il processo ferroelettrico e le tecnologie di processo CMOS gate al silicio per formare le celle di memoria non volatile.
MB85RS256 adotta l'interfaccia periferica seriale (SPI).A differenza di SRAM, MB85RS256 è in grado di conservare i dati senza batteria di backup.Le celle di memoria utilizzate per l'MB85RS256 sono migliorate di almeno 1010 volte nell'operazione di lettura/scrittura, superando in modo significativo la memoria Flash e l'E2PROM in termini di numero.
MB85RS256 non richiede molto tempo per scrivere i dati a differenza delle memorie Flash né di E2PROM, e MB85RS256 non richiede tempi di attesa.
| VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE(1) |
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Tensione di alimentazione VDD 3.0 3.3 3.6 V Ingresso ad alta tensione VIH 0,8 × VDD ⎯ VDD + 0,5 V Ingresso a bassa tensione VIL − 0,5 ⎯ + 0,6 V Temperatura di esercizio TA − 20 ⎯ + 85 °C |
| TRANS BC847BLT1 | 18000 | SU | CINA |
| RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | CINA |
| RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | CINA |
| DIODO DF06S | 3000 | SETTEMBRE | CINA |
| CAP 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | GIAPPONE |
| DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODI | MALAYSIA |
| INDUTTORE.100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | GIAPPONE |
| RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CINA |
| RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | CINA |
| DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | MALAYSIA |
| RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CINA |
| DIODO UF4007 MUNIZIONI | 500000 | MIC | CINA |
| TRANS.ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAIWAN |
| RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | CINA |
| ACOPLADOR OTICO.MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE ON | TAIWAN |
| TRANS MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODI | MALAYSIA |
| TRANS STGW20NC60VD | 1000 | ST | MALAYSIA |
| CI LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | TAILANDIA |
| CI MC33298DW | 1000 | MOT | MALAYSIA |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | MALAYSIA |
| CI P8255A5 | 4500 | INTEL | GIAPPONE |
| CIHM6116P-2 | 5000 | HITACHI | GIAPPONE |
| CI DS1230Y-150 | 2400 | DALLAS | FILIPPINE |
| TRANS.ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAIWAN |
| TRIAC BT151-500R | 500000 | MAROCCO | |
| CIHCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAIWAN |
| TRIAC TIC116M | 10000 | TI | TAILANDIA |
| DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | MALAYSIA |
| DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | MALAYSIA |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAIWAN |
| CICD40106BE | 250 | TI | TAILANDIA |
| ACOPLADOR PC733H | 1000 | AFFILATO | GIAPPONE |
| TRANS NDT452AP | 5200 | FSC | MALAYSIA |
| CILP2951-50DR | 1200 | TI | TAILANDIA |
| CIMC7809CD2TR4G | 1200 | SU | MALAYSIA |
| DIODO MBR20200CTG | 22000 | SU | MALAYSIA |
| FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | TAIWAN |
| CITPIC6595N | 10000 | TI | TAILANDIA |
| EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | MALAYSIA |
| DIODO 1N4004-T | 5000000 | MIC | CINA |
| CICD4060BM | 500 | TI | TAILANDIA |
| ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | MALAYSIA |
| DIODO W08 | 500 | SETTEMBRE | CINA |
| CI SN74HC373N | 1000 | TI | FILIPPINE |
| FOTOSENSORE 2SS52M | 500 | tesoro | GIAPPONE |
| CI SN74HC02N | 1000 | TI | TAILANDIA |
| CICD4585BE | 250 | TI | TAILANDIA |
| CI MT46H32M16LFBF-6IT:C | 40 | MICRON | MALAYSIA |
| DIODOMMSZ5242BT1G | 30000 | SU | MALAYSIA |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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