MT46H32M16LFBF-6 IT: C TR Chip IC programmabili Color TV Ic Memory Flash Chip Diodo raddrizzatore
programming ic chips
,programmable audio chip
MT46H32M16LFBF-6IT-C Programma ic chip Colore TV Ic Memoria Flash Chip Diodo raddrizzatore
Mobile Double Data Rate (DDR) SDRAM MT46H32M16LF – 8 Mega x 16 x 4 banchi MT46H16M32LF – 4 Mega x 32 x 4 banchi
CARATTERISTICHE:
• VDD = +1,8V ±0,1V, VDDQ = +1,8V ±0,1V
• Dati strobe bidirezionali per byte di dati (DQS)
• Architettura DDR (doppia velocità dati) pipeline interna;due accessi ai dati per ciclo di clock
• Ingressi di clock differenziali (CK e CK#)
• Comandi immessi su ogni fronte positivo CK
• DQS edge-aligned con dati per READ;allineato al centro con i dati per WRITE
• Quattro banche interne per operazioni simultanee
• Maschere di dati (DM) per mascherare i dati di scrittura: una maschera per byte
• Lunghezze burst programmabili: 2, 4, 8, 16 o pagina intera
• È supportata l'opzione di precarica automatica simultanea
• Modalità di aggiornamento automatico e aggiornamento automatico
• Ingressi compatibili LVCMOS da 1,8 V
• Sensore di temperatura su chip per controllare la frequenza di aggiornamento
• Aggiornamento automatico dell'array parziale (PASR)
• Spegnimento profondo (DPD)
• Drive di uscita selezionabile (DS)
• Capacità di arresto dell'orologio
Opzioni Marcatura
• VDD/VDDQ
• 1,8 V/1,8 V H
• Configurazione
• 32 Meg x 16 (8 Meg x 16 x 4 banchi) 32M16
• 16 Meg x 32 (4 Meg x 32 x 4 banchi) 16M32
• Confezione in plastica
• VFBGA1 a 60 sfere da definire
• 90 sfere VFBGA 2
• Cronometraggio – Tempo di ciclo
• 6ns @ CL = 3 -6
• 7.5ns @ CL = 3 -75
• 10ns @ CL = 3 -10
• Intervallo operativo di temperatura
• Commerciale (da 0° a +70°C)
• Industriale (da -40°C a +85°C) Nessuno IT
| VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE(1) |
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Tensione di alimentazione (VIN)................................................–0,3V a 6V |
| TRANS BC847BLT1 | 18000 | SU | CINA |
| RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | CINA |
| RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | CINA |
| DIODO DF06S | 3000 | SETTEMBRE | CINA |
| CAP 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | GIAPPONE |
| DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODI | MALAYSIA |
| INDUTTORE.100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | GIAPPONE |
| RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CINA |
| RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | CINA |
| DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | MALAYSIA |
| RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CINA |
| DIODO UF4007 MUNIZIONI | 500000 | MIC | CINA |
| TRANS.ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAIWAN |
| RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | CINA |
| ACOPLADOR OTICO.MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE ON | TAIWAN |
| TRANS MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODI | MALAYSIA |
| TRANS STGW20NC60VD | 1000 | ST | MALAYSIA |
| CI LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | TAILANDIA |
| CI MC33298DW | 1000 | MOT | MALAYSIA |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | MALAYSIA |
| CI P8255A5 | 4500 | INTEL | GIAPPONE |
| CIHM6116P-2 | 5000 | HITACHI | GIAPPONE |
| CI DS1230Y-150 | 2400 | DALLAS | FILIPPINE |
| TRANS.ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAIWAN |
| TRIAC BT151-500R | 500000 | MAROCCO | |
| CIHCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAIWAN |
| TRIAC TIC116M | 10000 | TI | TAILANDIA |
| DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | MALAYSIA |
| DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | MALAYSIA |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAIWAN |
| CICD40106BE | 250 | TI | TAILANDIA |
| ACOPLADOR PC733H | 1000 | AFFILATO | GIAPPONE |
| TRANS NDT452AP | 5200 | FSC | MALAYSIA |
| CILP2951-50DR | 1200 | TI | TAILANDIA |
| CIMC7809CD2TR4G | 1200 | SU | MALAYSIA |
| DIODO MBR20200CTG | 22000 | SU | MALAYSIA |
| FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | TAIWAN |
| CITPIC6595N | 10000 | TI | TAILANDIA |
| EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | MALAYSIA |
| DIODO 1N4004-T | 5000000 | MIC | CINA |
| CICD4060BM | 500 | TI | TAILANDIA |
| ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | MALAYSIA |
| DIODO W08 | 500 | SETTEMBRE | CINA |
| CI SN74HC373N | 1000 | TI | FILIPPINE |
| FOTOSENSORE 2SS52M | 500 | tesoro | GIAPPONE |
| CI SN74HC02N | 1000 | TI | TAILANDIA |
| CICD4585BE | 250 | TI | TAILANDIA |
| CI MT46H32M16LFBF-6IT:C | 40 | MICRON | MALAYSIA |
| DIODOMMSZ5242BT1G | 30000 | SU | MALAYSIA |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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