MT29F4G08ABADAWP:D TR Programma Ic Chip Color TV Ic Memory Flash Chip Diodo raddrizzatore
ic programmer circuit
,programmable audio chip
4Gb, 8Gb, 16Gb: x8, x16 Caratteristiche della memoria flash NAND
MT29F4G08ABADAH4, MT29F4G08ABADAWP, MT29F4G08ABBDAH4, MT29F4G08ABBDAHC, MT29F4G16ABADAH4, MT29F4G16ABADAWP, MT29F4G16ABBDAH4, MT29F4G16ABBDAHC, MT29F8G08ADADAH4, MT29 F8G08ADBDAH4, MT29F8G16ADADAH4, MT29F8G16ADBDAH4, MT29F16G08AJADAWP
CARATTERISTICHE:
• Open NAND Flash Interface (ONFI) conforme a 1.01
• Tecnologia a celle a livello singolo (SLC).
• Organizzazione
– Dimensione pagina x8: 2112 byte (2048 + 64 byte)
– Dimensione pagina x16: 1056 parole (1024 + 32 parole)
– Dimensione blocco: 64 pagine (128K + 4K byte)
– Dimensione del piano: 2 piani x 2048 blocchi per piano
– Dimensione dispositivo: 4Gb: 4096 blocchi;8Gb: 8192 blocchi 16Gb: 16.384 blocchi
• Prestazioni I/O asincrone
– tRC/tWC: 20ns (3.3V), 25ns (1.8V)
• Prestazioni dell'array
– Leggere pagina: 25µs 3
– Pagina del programma: 200µs (TYP: 1.8V, 3.3V)3
– Cancella blocco: 700µs (TYP)
• Set di comandi: protocollo ONFI NAND Flash
• Set di comandi avanzati
- Modalità cache della pagina del programma4
– Leggi la modalità cache della pagina 4
– Modalità programmabile una sola volta (OTP).
– Comandi a due piani 4
– Operazioni interleaved die (LUN).
– Lettura ID univoco – Blocca blocco (solo 1,8 V)
– Spostamento interno dei dati
• Il byte di stato dell'operazione fornisce un metodo software per il rilevamento
– Completamento dell'operazione – Condizione superata/non superata
– Stato di protezione da scrittura
• Il segnale Pronto/Occupato# (R/B#) fornisce un metodo hardware per rilevare il completamento dell'operazione
• Segnale WP#: protezione da scrittura dell'intero dispositivo
• Il primo blocco (indirizzo blocco 00h) è valido se spedito dalla fabbrica con ECC.
Per l'ECC minimo richiesto, vedere Gestione degli errori.
• Il blocco 0 richiede ECC a 1 bit se i cicli PROGRAM/ERASE sono inferiori a 1000
• RESET (FFh) richiesto come primo comando dopo l'accensione
• Metodo alternativo di inizializzazione del dispositivo (Nand_Init) dopo l'accensione (contattare la fabbrica)
• Operazioni interne di spostamento dei dati supportate all'interno del piano da cui vengono letti i dati
• Qualità e affidabilità – Conservazione dei dati: 10 anni – Durata: 100.000 cicli PROGRAM/ERASE
• Intervallo di tensione operativa – VCC: 2,7–3,6 V – VCC: 1,7–1,95 V
• Temperatura di esercizio:
– Commerciale: da 0°C a +70°C
– Industriale (IT): da –40ºC a +85ºC
• Pacchetto – TSOP a 48 pin tipo 1, CPL2
– VFBGA a 63 palline
| VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE(1) |
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Tensione di alimentazione (VIN)................................................–0,3V a 6V |
| TRANS BC847BLT1 | 18000 | SU | CINA |
| RC0805JR-0710KL | 35000 | YAGEO | CINA |
| RC0805JR-071KL | 20000 | YAGEO | CINA |
| DIODO DF06S | 3000 | SETTEMBRE | CINA |
| CAP 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | 20000 | TDK | GIAPPONE |
| DIODO US1A-13-F | 50000 | DIODI | MALAYSIA |
| INDUTTORE.100UH SLF7045T-101MR50-PF | 10000 | TDK | GIAPPONE |
| RES 470R 5% RC0805JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CINA |
| RES 1206 2M 1% RC1206FR-072ML | 500000 | YAGEO | CINA |
| DIODO P6KE180A | 10000 | VISHAY | MALAYSIA |
| RES 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | 500000 | YAGEO | CINA |
| DIODO UF4007 MUNIZIONI | 500000 | MIC | CINA |
| TRANS.ZXMN10A09KTC | 20000 | ZETEX | TAIWAN |
| RES 0805 4K7 5% RC0805JR-074K7L |
500000 | YAGEO | CINA |
| ACOPLADOR OTICO.MOC3021S-TA1 | 10000 | LITE ON | TAIWAN |
| TRANS MMBT2907A-7-F | 30000 | DIODI | MALAYSIA |
| TRANS STGW20NC60VD | 1000 | ST | MALAYSIA |
| CI LM2576HVT-ADJ/NOPB | 500 | TI | TAILANDIA |
| CI MC33298DW | 1000 | MOT | MALAYSIA |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | MALAYSIA |
| CI P8255A5 | 4500 | INTEL | GIAPPONE |
| CIHM6116P-2 | 5000 | HITACHI | GIAPPONE |
| CI DS1230Y-150 | 2400 | DALLAS | FILIPPINE |
| TRANS.ZXMN10A09KTC | 18000 | ZETEX | TAIWAN |
| TRIAC BT151-500R | 500000 | MAROCCO | |
| CIHCNR200-000E | 1000 | AVAGO | TAIWAN |
| TRIAC TIC116M | 10000 | TI | TAILANDIA |
| DIODO US1M-E3/61T | 18000 | VISHAY | MALAYSIA |
| DIODO ES1D-E3-61T | 18000 | VISHAY | MALAYSIA |
| CI MC908MR16CFUE | 840 | FREESCAL | TAIWAN |
| CICD40106BE | 250 | TI | TAILANDIA |
| ACOPLADOR PC733H | 1000 | AFFILATO | GIAPPONE |
| TRANS NDT452AP | 5200 | FSC | MALAYSIA |
| CILP2951-50DR | 1200 | TI | TAILANDIA |
| CIMC7809CD2TR4G | 1200 | SU | MALAYSIA |
| DIODO MBR20200CTG | 22000 | SU | MALAYSIA |
| FUSIVEL 30R300UU | 10000 | LITTELFUSEI | TAIWAN |
| CITPIC6595N | 10000 | TI | TAILANDIA |
| EPM7064STC44-10N | 100 | ALTERA | MALAYSIA |
| DIODO 1N4004-T | 5000000 | MIC | CINA |
| CICD4060BM | 500 | TI | TAILANDIA |
| ACOPLADOR MOC3020M | 500 | FSC | MALAYSIA |
| DIODO W08 | 500 | SETTEMBRE | CINA |
| CI SN74HC373N | 1000 | TI | FILIPPINE |
| FOTOSENSORE 2SS52M | 500 | tesoro | GIAPPONE |
| CI SN74HC02N | 1000 | TI | TAILANDIA |
| CICD4585BE | 250 | TI | TAILANDIA |
| CI MT46H32M16LFBF-6IT:C | 40 | MICRON | MALAYSIA |
| DIODOMMSZ5242BT1G | 30000 | SU | MALAYSIA |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
|---|---|---|---|
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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