Tensione di elettronica di IC del chip del circuito integrato di M25P128-VMF6P SOP-8 bassa, memoria flash di serie
circuit board ic
,electronic components ic
M25P128-VMF6P
128 Mbit (multilivelli), bassa tensione, memoria flash di serie con l'interfaccia bus di 50MHz SPI
Riassunto della caratteristica
■128 Mbit della memoria flash
■Programma della pagina (fino a 256 byte) in 2.5ms (tipico)
■Il settore cancella (2Mbit)
■La massa cancella (128Mbit)
■2,7 a tensione di semplice alimentazione 3.6V
■Interfaccia seriale compatibile del bus di SPI
■50MHz frequenza di clock (massimo)
■Firma elettronica – firma a due byte standard di JEDEC (2018h)
■Più di 10000 cancellano/cicli di programma per settore
■Più della conservazione di dati 20-Year
■Pacchetti – ECOPACK® (comp. di RoHS
Descrizione sommaria
Il M25P128 è un 128Mbit multilivelli (memoria flash di pubblicazione periodica di 16Mbit x 8), con avanzato scrive i meccanismi della protezione, raggiunti in bus SPI-compatibile ad alta velocità. La memoria può essere programmata 1 - 256 byte per volta, facendo uso dell'istruzione di programma della pagina. La memoria è organizzata come 64 settori, ciascuno che contiene 1024 pagine. Ogni pagina è ampia 256 byte. Quindi, l'intera memoria può essere osservata come consistere di 65536 pagine, o 16777216 byte. L'intera memoria può essere cancellata facendo uso della massa cancella l'istruzione, o un settore per volta, facendo uso del settore per cancellare l'istruzione. per soddisfare le richieste ambientali, offerte della st questi dispositivi in pacchetti di ECOPACK®. I pacchetti di ECOPACK® sono senza piombo e RoHS compiacenti. ECOPACK è un marchio di fabbrica della st. Le specifiche di ECOPACK sono disponibili a: www.st.com.
Una parte dell'elenco di collezioni
TRIAC BTA06-600CW | 150 | St | 628 |
TRIAC BTA24-600CW | 150 | St | 608 |
C.I HT9200A | 200 | HOLTEK | N7G074G |
C.I 24LC512-I/SM | 150 | MICROCHIP | 16256H6 |
C.I MCP2551-I/SN | 150 | MICROCHIP | 1631W3P/1623HVP |
C.I M74HC4051TTR | 150 | St | Z404 |
LTC1149CS-5#TRPBF | 240 | LINEARE | 1218/1227 |
ROSSO DI REDE. SMD 4X150R 5% YC164-JR-07150RL |
10000 | YAGEO | 1602 |
CAPPUCCIO CER 56000PF/25V 10% 06033C563KAT2A |
28000 | AVX | 1626 |
0603ESDA-TR1 | 5000 | BOTTAIO | C81X0741 |
GRM1885C1H180JA01D | 12000 | MURATA | IA6903WR4 |
0459003.UR | 10000 | LITTELFUSE | 07/02/28,20,21,14 di,/07/03/25,24,19 di,/07/01/31/3A/125V/459 |
BLM41PG750SN1L | 20000 | MURATA | IA5D12058 |
RC2512JK-073R6L | 8000 | YAGEO | 1625 |
AO3400A | 3000 | ALFA | 16K/X0KB32 |
BLM41PG750SN1L | 15000 | MURATA | IA5D12058 |
RC2512JK-073R6L | 12000 | YAGEO | 1625 |
AO3400A | 27000 | ALFA | 16K/X0KB32 |
BSS84LT1G | 6000 | SU | 1615/PD |
RC2512JK-071RL | 12000 | YAGEO | 1625 |
PBY201209T-102Y-N | 4000 | CHILISIN | 2016-3-6 |
PERLA 11R PBY321611T-110Y-N |
9000 | CHILISIN | 2016-4-16 |
USBLC6-2P6 | 30000 | St | 1627/1609/F |
RC2512JK-07110RL | 40000 | YAGEO | 1628 |
TDA1517/N3 | 1600 | 12293 | |
CAPPUCCIO MC 10UF/10V 10% CC0805ZKY5V6BB106 |
6000 | YAGEO | 1612 |
DIO US1A-13-F | 10000 | DIODI | 1630/US1A |
CAPPUCCIO MC 4.7UF 6.3V 10% X5R GRM188R60J475KE19D | 8000 | MURATA | IA6903WR4 |
CL31B225KBHNNNE | 8000 | SAMSUNG | AC7JO2H |
C1210C106M5PACTU | 10000 | KEMET | 1603 |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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