Chip digitale del circuito integrato dei circuiti integrati di AT45DB011D-SH-B un volt DataFlash minimo di 1 megabit 2,7

1-megabit 2,7 volt DataFlash minimo AT45DB011D

Caratteristiche

• Singolo 2.7V a rifornimento 3.6V

• Interfaccia seriale di RapidS®: 66 megahertz di frequenza di clock massima

– Modi compatibili 0 e 3 di SPI

• Dimensione di pagina configurabile dell'utente

– 256 byte per pagina

– 264 byte per pagina

– La dimensione di pagina può essere fabbrica Pre-configurata per 256 byte

• Operazione di programma della pagina

– Operazione di programmazione intelligente

– 512 pagine (256/264 di byte/pagina) della memoria principale

• Flessibile cancelli le opzioni

– La pagina cancella (256 byte)

– Il blocco cancella (2 kbyte)

– Il settore cancella (32 kbyte)

– Chip Erase (1 Mbits)

• Un buffer di SRAM (256/264 di byte)

• Capacità colta continua con intera matrice

– Ideale per il codice che ombreggia le applicazioni

• Dissipazione a bassa potenza

– corrente colta attiva di 7 mA tipica

– 25 tipici correnti del appoggio del µA

– il µA 5 in profondità spegne tipico

• Caratteristiche di protezione dei dati del software e dell'hardware

– Singolo settore

• Lockdown del settore per il codice e l'archiviazione di dati sicuri

– Singolo settore

• Sicurezza: registro di sicurezza di 128 byte

– spazio programmabile dell'utente da 64 byte

– Identificatore di dispositivo unico da 64 byte

• L'identificazione standard del produttore e del dispositivo di JEDEC ha letto

• 100.000 programmi/cancellano i cicli per minimo della pagina

• Conservazione di dati – 20 anni

• Gamma di temperature industriale

• Opzioni d'imballaggio di verde (Pb/Halide-free/RoHS compiacente)

Descrizione

Il AT45DB011D è un 2.7V, una memoria flash dell'interfaccia seriale adatta idealmente per un'ampia varietà di voce digitale, un'immagine, un codice di programma e le applicazioni di archiviazione di dati. Il AT45DB011D sostiene l'interfaccia seriale delle rapide per le applicazioni che richiedono le operazioni molto ad alta velocità. L'interfaccia seriale delle rapide è SPI compatibile per le frequenze fino a 66 megahertz. I suoi 1.081.344 bit della memoria sono organizzati come 512 pagine di 256 byte o di 264 byte ciascuno. Oltre al della memoria principale, il AT45DB011D inoltre contiene un amplificatore di SRAM di 256/264 di byte. L'emulazione di EEPROM (alterabilità di byte o del bit) è trattata facilmente con un in tre tappe autonomo leggere-modificare-scrive l'operazione. A differenza delle memorie flash convenzionali che sono raggiunte a caso con le linee multiple di indirizzo e un'interfaccia parallela, il DataFlash® usa un'interfaccia seriale delle rapide per accedere in sequenza ai suoi dati. L'ad accesso sequenziale semplice riduce drammaticamente il conteggio di perno attivo, facilita la disposizione dell'hardware, aumenta l'affidabilità del sistema, minimizza il rumore di commutazione e riduce la dimensione del pacchetto.

Il dispositivo è ottimizzato per uso in molte applicazioni commerciali ed industriali dove ad alta densità, conteggio del basso perno, a bassa tensione ed a bassa potenza sia essenziale.

Per tenere conto il reprogrammability semplice del in-sistema, il AT45DB011D non richiede le alte tensioni in ingresso per programmare. Il dispositivo funziona a partire da una singola alimentazione elettrica, 2.7V a 3.6V, per sia il programma che le operazioni di lettura. Il AT45DB011D è permesso a tramite il perno scelto del chip (CS) ed è raggiunto via un'interfaccia del tre-cavo che consiste dell'uscita introdotta (SI) e di serie di pubblicazione periodica (COSÌ) e dell'orologio di serie (SCK).

Tutta la programmazione e cancellare i cicli è auto-cronometrata.

Ratings* massimo assoluto

Temperatura sotto ............................... -55° diagonale C - +125° C

Temperatura di stoccaggio .................................... -65° C - +150° C

Tutte le tensioni in ingresso (perni compresi di NC)

riguardo a terra ................................... - 0.6V a +6.25V

Tutte le tensioni in uscita

riguardo a terra ............................. - 0.6V a VCC + 0.6V

*NOTICE: Gli sforzi oltre quelli elencati nell'ambito «delle valutazioni massime assolute» possono danneggiare permanente il dispositivo. Ciò è una valutazione di sforzo soltanto e l'operazione funzionale del dispositivo a questi o di alcuni altri termini oltre quelli indicati nelle sezioni operative di questa specificazione non è implicata. L'esposizione ai termini di valutazione di massimo assoluta per i periodi estesi può colpire l'affidabilità del dispositivo.

Vista superiore di SOIC Vista superiore di UDFN ⁽¹⁾

Nota:

1. Il cuscinetto del metallo sul fondo del pacchetto di UDFN sta galleggiando. Questo cuscinetto può essere «un nessun si collega» o collegato a terra.

Schema a blocchi

Offerta di riserva (vendita calda)