Chip di AT45DB161D-SU nel chip del circuito integrato di elettronica 16 megabit 2,5 volt o 2,7 volt DataFlash
electronic chip board
,electronic components ic
16-megabit 2,5 volt o 2,7 volt DataFlash® AT45DB161D
Caratteristiche
• Singolo 2.5V - 3.6V o 2.7V - rifornimento 3.6V
• Interfaccia seriale di RapidS™: 66 megahertz di frequenza di clock massima
– Modi compatibili 0 e 3 di SPI
• Dimensione di pagina configurabile dell'utente
– 512 byte per pagina
– 528 byte per pagina
– La dimensione di pagina può essere fabbrica Pre-configurata per 512 byte
• Operazione di programma della pagina
– Operazione di programmazione intelligente
– 4.096 pagine (512/528 di byte/pagina) della memoria principale
• Flessibile cancelli le opzioni
– La pagina cancella (512 byte)
– Il blocco cancella (4 kbyte)
– Il settore cancella (128 kbyte)
– Chip Erase (16 Mbits)
• Due buffer di SRAM (512/528 di byte)
– Permette la ricezione dei dati mentre riprogrammano la matrice istantanea
• Capacità colta continua con intera matrice
– Ideale per il codice che ombreggia le applicazioni
• Dissipazione a bassa potenza
– corrente colta attiva di 7 mA tipica
– 25 tipici correnti del appoggio del µA
– il µA 9 in profondità spegne tipico
• Caratteristiche di protezione dei dati del software e dell'hardware
– Singolo settore
• Lockdown del settore per il codice e l'archiviazione di dati sicuri
– Singolo settore
• Sicurezza: registro di sicurezza di 128 byte
– spazio programmabile dell'utente da 64 byte
– Identificatore di dispositivo unico da 64 byte
• L'identificazione standard del produttore e del dispositivo di JEDEC ha letto
• 100.000 programmi/cancellano i cicli per minimo della pagina
• Conservazione di dati – 20 anni
• Gamma di temperature industriale
• Opzioni d'imballaggio di verde (Pb/Halide-free/RoHS compiacente)
1. Descrizione
Il AT45DB161D è i 2,5 volt o di 2,7 volt, memoria flash ad accesso sequenziale dell'interfaccia seriale adatta idealmente per un'ampia varietà di voce digitale, immagine, codice di programma e le applicazioni di archiviazione di dati. Il AT45DB161D sostiene l'interfaccia seriale delle rapide per le applicazioni che richiedono le operazioni molto ad alta velocità. L'interfaccia seriale delle rapide è SPI compatibile per le frequenze fino a 66 megahertz. I suoi 17.301.504 bit della memoria sono organizzati come 4.096 pagine di 512 byte o di 528 byte ciascuno. Oltre al della memoria principale, il AT45DB161D inoltre contiene due amplificatori di SRAM di 512/528 di byte ciascuno. Gli amplificatori permettono la ricezione dei dati mentre una pagina nel della memoria principale sta riprogrammanda come pure la scrittura del flusso di dati continuo. L'emulazione di EEPROM (alterabilità di byte o del bit) è trattata facilmente con un in tre tappe autonomo leggere-modificare-scrive l'operazione. A differenza delle memorie flash convenzionali che sono raggiunte a caso con le linee multiple di indirizzo e un'interfaccia parallela, il DataFlash usa un'interfaccia seriale delle rapide per accedere in sequenza ai suoi dati. L'ad accesso sequenziale semplice riduce drammaticamente il conteggio di perno attivo, facilita la disposizione dell'hardware, aumenta l'affidabilità del sistema, minimizza il rumore di commutazione e riduce la dimensione del pacchetto. Il dispositivo è ottimizzato per uso in molte applicazioni commerciali ed industriali dove ad alta densità, conteggio del basso perno, a bassa tensione ed a bassa potenza sia essenziale.
Per tenere conto il reprogrammability semplice del in-sistema, il AT45DB161D non richiede le alte tensioni in ingresso per programmare. Il dispositivo funziona a partire da una singola alimentazione elettrica, da 2.5V a 3.6V o da 2.7V a 3.6V, per sia il programma che le operazioni di lettura. Il AT45DB161D è permesso a tramite il perno scelto del chip (CS) ed è raggiunto via un'interfaccia del tre-cavo che consiste dell'uscita introdotta (SI) e di serie di pubblicazione periodica (COSÌ) e dell'orologio di serie (SCK).
Tutta la programmazione e cancellare i cicli è auto-cronometrata.
2. Pin Configurations e piedinature
Ratings* massimo assoluto
Temperatura sotto ............................... -55° diagonale C - +125° C
Temperatura di stoccaggio .................................... -65° C - +150° C
Tutte le tensioni in ingresso (perni compresi di NC)
riguardo a terra ................................... - 0.6V a +6.25V
Tutte le tensioni in uscita
riguardo a terra ............................. - 0.6V a VCC + 0.6V
*NOTICE: Gli sforzi oltre quelli elencati nell'ambito «delle valutazioni massime assolute» possono danneggiare permanente il dispositivo. Ciò è una valutazione di sforzo soltanto e l'operazione funzionale del dispositivo a questi o di alcuni altri termini oltre quelli indicati nelle sezioni operative di questa specificazione non è implicata. L'esposizione ai termini di valutazione di massimo assoluta per i periodi estesi può colpire l'affidabilità del dispositivo.
Schema a blocchi
Offerta di riserva (vendita calda)
Numero del pezzo. | Q'ty | MFG | D/C | Pacchetto |
PIC16F876A-I/SP | 4873 | MICROCHIP | 16+ | IMMERSIONE |
MCP9801-M/SN | 5710 | MICROCHIP | 16+ | SOP-8 |
PCA82C251T/YM | 11900 | 16+ | CONTENTINO | |
MMSZ6V2T1G | 25000 | SU | 16+ | SOD-123 |
M29W160EB70N6E | 3815 | St | 16+ | TSSOP |
PIC12C508-I/P | 9400 | MICROCHIP | 16+ | IMMERSIONE |
NE5532DR | 10000 | TI | 16+ | CONTENTINO |
LM2676SX-5.0 | 3000 | NSC | 15+ | TO-263-7 |
LMC555CMMX | 5340 | NSC | 15+ | MSOP-8 |
M29W640GB70NA6E | 3763 | St | 10+ | TSOP |
LP3470M5X-2.93 | 5820 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
LP38690DTX-1.8 | 2854 | NSC | 15+ | TO-252 |
MAX3238CDBR | 11800 | TI | 16+ | SSOP |
PIC16F628A-I/SO | 5128 | MICROCHIP | 16+ | CONTENTINO |
MT48LC4M16A2P-75: G | 7296 | MICRON | 16+ | TSOP |
LP38690DTX-3.3 | 3872 | TI | 13+ | TO-252 |
MC34151PG | 3454 | SU | 16+ | IMMERSIONE |
MC14017BDR2G | 30000 | SU | 11+ | CONTENTINO |
ZHCS500TA | 6000 | ZETEX | 14+ | SOT23 |
LM317MDT | 38000 | St | 14+ | TO-252 |
MJD210T4G | 5000 | SU | 16+ | TO-252 |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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