Raddrizzatore ultraveloce di recupero FEP30JP-E3/45 del raddrizzatore del raddrizzatore a diodo del catodo comune doppio veloce del diodo
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
FEP30AP con FEP30JP
Raddrizzatore ultraveloce del catodo comune doppio
CARATTERISTICHE
• Giunzione passivata di vetro del chip
• Tempo di recupero ultraveloce
• Perdite di commutazione basse, alta efficienza
• Resistenza termica bassa
• Alta capacità di impulso di andata
• °C della immersione 260 della lega per saldatura, 40 s
• Componente nell'accordo a RoHS 2002/95/EC e WEEE 2002/96/EC
APPLICAZIONI TIPICHE
Per uso in raddrizzatore ad alta frequenza di commutazione le alimentazioni elettriche di modo, degli invertitori, guidare in folle i diodi, i convertitori CC--CC e l'altra applicazione di commutazione di potenza.
DATI MECCANICI
Caso: TO-247AD (TO-3P)
L'epossidico incontra la valutazione di infiammabilità V-0 dell'UL 94
Terminali: La latta opaca ha placcato i cavi, solderable per J-STD-002 e JESD22-B102
Il suffisso E3 per il grado di consumatore, incontra la prova delle basette della classe 1A di JESD 201
Polarità: Come segnato
Montaggio della coppia di torsione: massimo 10 in-libbre
CARATTERISTICHE PRIMARIE
| SE (AVOIRDUPOIS) | 30 A |
| VRRM | 50 V - 600 V |
| IFSM | 300 A |
| trr | 35 NS, 50 NS |
| VF | 0,95 V, 1,3 V, 1,5 V |
| Massimo di TJ. | °C 150 |
VALUTAZIONI MASSIME (TUM = °C 25 salvo indicazione contraria)
| PARAMETRO | SIMBOLO | FEP 30AP | FEP 30BP | FEP 30CP | FEP 30DP | FEP 30FP | FEP 30GP | FEP 30HP | FEP 30JP | UNITÀ |
| Tensione inversa di punta ripetitiva massima | VRRM | 50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | V |
| Tensione massima di RMS | VRMS | 35 | 70 | 105 | 140 | 210 | 280 | 350 | 420 | V |
| Tensione di didascalia massima di CC | VCC | 50 | 100 | 150 | 200 | 300 | 400 | 500 | 600 | V |
| La media massima in avanti ha rettificato corrente a TC = °C 100 | SE (AVOIRDUPOIS) | 30 | ||||||||
| Semionda sinusoidale di andata di punta di spettrografia di massa della punta di corrente 8,3 singola sovrapposta sul carico nominale per diodo | IFSM | 300 | ||||||||
| Gamma di funzionamento di temperature e di stoccaggio | TJ, TSTG | - 55 + a 150 | °C | |||||||
VALUTAZIONI E CURVE di CARATTERISTICHE (TUM = °C 25 salvo indicazione contraria)
DIMENSIONI del PROFILO del PACCHETTO nei pollici (millimetri)
TO-247AD (TO-3P)
Offerta di riserva (vendita calda)
| Numero del pezzo. | Q'ty | MFG | D/C | Pacchetto |
| LTC1605CSW | 1670 | LT | 10+ | CONTENTINO |
| MBR0540T1G | 40000 | SU | 16+ | ZOLLA |
| LM7912CT | 5389 | NSC | 14+ | TO-220 |
| LM324PWR | 30000 | TI | 14+ | TSSOP-14 |
| LMV7271MFX | 4372 | NSC | 15+ | SOT-23-5 |
| OPA228U | 6820 | TI | 16+ | CONTENTINO |
| MAX13488EESA+ | 5150 | MASSIMO | 16+ | CONTENTINO |
| NTA7002NT1G | 25000 | SU | 16+ | BEONE |
| L7980ATR | 3906 | St | 15+ | SOP8 |
| MC33161DMR2G | 14672 | SU | 16+ | MSOP |
| A3212EUA-T | 2000 | ALLEGRO | 13+ | TO-92S |
| LMC7211BIM5X | 10000 | NSC | 14+ | SOT-23-5 |
| PESD12VS2UT | 38000 | 16+ | BEONE | |
| MUN5211DW1T1G | 25000 | SU | 16+ | SOT-363 |
| MRF24J40MA-I/RM | 2054 | MICROCHIP | 14+ | SMD |
| LTV817S-TA1-D | 25000 | LITEON | 16+ | CONTENTINO |
| PIC18F26K20-I/SO | 4503 | MICROCHIP | 16+ | CONTENTINO |
| MC7809BTG | 4458 | SU | 13+ | TO-220 |
| ATMEGA8L-8AU | 5162 | ATMEL | 16+ | QFP32 |
| PCF8575TS/1 | 13140 | 12+ | SSOP | |
| MC74HC374ADWR2 | 30000 | SU | 10+ | CONTENTINO |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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