Diodo di raddrizzatore del silicio Z di BZG03C120TR, chip istantaneo programmabile del circuito integrato di CI
diode rectifier circuit
,bridge rectifier circuit
Diodo di raddrizzatore del silicio Z di BZG03C120-TR, chip istantaneo programmabile del circuito integrato di CI
Z-diodi del silicio di BZG03C120-TR
Caratteristiche?
Giunzione passivata di vetro?
Alta affidabilità?
Gamma 10V di tensione a 270V?
Misure sulle zampe da 5 millimetri SMD?
Wave e stabilizzazione solderable di tensione di applicazioni di riflusso
Valutazioni massime assolute Tj = 25C
dissipazione di potere di t RthJA<25k>
Tamb=50? Dissipazione 1,25 di potere di punta non ripetitiva dell'impulso di C PV W tp=100? s sq.pulse,
Tj =25? C prima della temperatura di giunzione dell'impulso PZSM 600 W Tj 175? C
Gamma di temperature di stoccaggio Tstg – 65… +150? C
Una parte dell'elenco di collezioni
Ricerca 0402 390R 1% RC0402FR-07390RL | YAGEO | 1620 | SMD0402 |
Ricerca 0402 47K 1% RC0402FR-0747KL | YAGEO | 1640 | SMD0402 |
Ricerca 0402 68K 1% RC0402FR-0768KL | YAGEO | 1634 | SMD0402 |
Ricerca 0402 2K2 1% RC0402FR-072K2L | YAGEO | 1643 | SMD0402 |
MAX3491EESD (+T) | MASSIMO | 1625 | SOP-14 |
CDSOT23-SM712 | RUSCELLI | 1545/712 | SOT-23 |
TISP4240M3BJT-S | RUSCELLI | 1629 | DO-214AA |
BT169D | N451 | TO-92 | |
NJM7812FA | CCR | 1511 | TO-220F |
NJM7912FA | CCR | 1606 | TO-220F |
SN74LS244N | TI | 1614+5 | DIP-20 |
BFR91A | VISHAY | 1625 | TO-50 |
BT151-800R | 608 | TO-220 | |
LM293DMR2G | SU | RVB/1628 RGU/1621 | MSOP8 |
G42180-01 | SSC | 9A16 | LED |
IRL3713 | IR | 520P | TO-220 |
ATMEGA32A-AU | ATMEL | 1602 | QFP44 |
TORX178B | TOSHIBA | 0205 | DIP-3 |
2SK170BL | TOSHIBA | 3FW | TO-92 |
BD140 | 55 | TO-126 | |
BD911 | FSC | L08 | TO-220 |
(Aggiunga) OPA333AIDCKT | TI | BQY | SC70-5 |
LM3578AM | NSC | CSRC | SOP-8 |
LPC2148FBD64,151 | 1413 | LQFP-64 | |
AD8307ARZ- RL7 | ANNUNCIO | 321 | SOP-8 |
XC9572XL-10PCG44C | XILINX | 1025 | PLCC44 |
HEF4069UBT | 1636 | SOP-14 | |
MAX861ISA | MASSIMO | 306 | SOP-8 |
DDTC143XCA-7-F | DIODI | 1608/N09/Z8,1601/N09/A1 | SOT-23 |
EM2860 | EMPIA | 1252 | QFP-64 |
UPC251C | NEC | 1.213 | DIP-8 |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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