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I diodi raddrizzatori di potenza di Schottky del diodo di raddrizzatore MBR0520LT1 PFM aumentano il regolatore di commutazione di Micropower

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Supporto di superficie SOD-123 del diodo 20 V 500mA
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Tensione inversa ripetitiva di punta:
20V
La media ha rettificato in avanti corrente:
0.5A
Gamma di temperature di stoccaggio:
- 65 a +150°C
Temperatura di giunzione di funzionamento:
- 65 a +125°C
Punto culminante:

diode rectifier circuit

,

bridge rectifier circuit

Introduzione

Diodi raddrizzatori di potenza di superficie di Schottky del supporto MBR0520LT1

Caratteristiche

• Guardring per protezione di sforzo

• Tensione di andata molto bassa (0,38 V @ 0,5 A massimo, 25°C)

• temperatura di giunzione di funzionamento 125°C

• UL a resina epossidica 94 V−0 @ 0,125 di raduni dentro

• Pacchetto progettato per l'Assemblea automatizzata ottimale del bordo

• I pacchetti di Pb−Free sono disponibili

Caratteristiche meccaniche
• Opzioni della bobina: MBR0520LT1 = 3.000 per 7 nastro del ″ reel/8 millimetri

MBR0520LT3 = 10.000 per 13 nastro del ″ reel/8 millimetri

• Designatore di polarità: Banda del catodo

• Peso: mg 11,7 (approssimativamente)

• Caso: A resina epossidica, modellato

• Rivestimento: Tutto l'esterno sorge resistente alla corrosione ed i cavi terminali sono prontamente Solderable

• Temperatura della superficie di montaggio e del cavo per gli scopi di saldatura: massimo 260°C per 10 secondi
VALUTAZIONI MASSIME

Valutazione Simbolo Valore Unità
Tensione inversa ripetitiva di punta
Tensione inversa di punta di lavoro
Tensione di didascalia di CC
VRRM
VRWM
VR
20 V
Corrente di andata rettificata media
(VR stimato, TL = 90°C)
SE (AVOIRDUPOIS) 0,5
Punta di corrente del picco di Non−Repetitive (impulso applicato alla semionda di stati di carico nominale, alla monofase, 60 hertz) IFSM 5,5
Gamma di temperature di stoccaggio Tstg −65 a +150 °C
Temperatura di giunzione di funzionamento TJ −65 a +125 °C
Tasso di tensione di cambiamento (VR stimati) dv/dt 1000 V/s
Valutazioni di ESD: Modello di macchina = C
Modello del corpo umano = 3B
> 400
> 8000
V

CARATTERISTICHE TERMICHE

Valutazione Simbolo Valore Unità
Resistenza termica; Junction−to−Ambient RJA 206 °C/W
Resistenza termica; Junction−to−Lead RJL 150 °C/W


Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Quantità Marca D/C Pacchetto
PMBD7000 15200 14+ SOT-23
TC7660COA 15200 MICROCHIP 14+ SOP-8
1N5352B 15220 SU 14+ CASE17-02
1.5KE13CA 15580 VISHAY 16+ DO-201AD
HEF4013BT 15800 16+ CONTENTINO
RCLAMP0524PATCT 15900 SEMTECH 16+ SLP251
11N80C3 16000 15+ TO-220F
MBR0520LT1 16200 SU 16+ SOD-123
P6KE36A 16200 VISHAY 16+ DO-15
LT1361CS8 17000 LT 14+ SOP8
1.5KE27CA 17002 VISHAY 14+ DO-201AD
MBR0520LT3 17100 SU 14+ SOD-123
TDA7294V 17200 St 16+ ZIP15
NFM18PS105R0J3D 17500 MURATA 16+ SMD
SMBJ40CA 17500 VISHAY 13+ SMB
ZM4730A 17580 St 15+ LL-41
1.5KE27CA 18000 VISHAY 16+ DO-201AD
74HC165D 18000 16+ CONTENTINO
74HC595D 18000 14+ CONTENTINO
A3120 18000 AVAGO 16+ DIPSOP8
MBT3904LT1G 18000 SU 14+ SOT-23
MC34063API 18000 SU 16+ DIP8
MIC2288YD5 18000 MICREL 16+ SOT23-5
MMBV2109 18000 SU 15+ SOT23
MX30LF1G08AA-TI 18000 MACRONIX 15+ TSSOP
PMV40UN 18000 16+ SOT-23
SI4416DY 18000 VISHAY 16+ SOIC-8
SI5855 18000 VISHAY 14+ SOT23-8
XC6201P332MR 18000 TOREX 14+ SOT-23
STM4433A 18032 SAMHOP 15+ SOP8

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