Transistor di effetto di campo di modo di potenziamento del livello logico di P-Manica del transistor di potenza di NDS356AP
power mosfet ic
,multi emitter transistor
Transistor di effetto di campo di modo di potenziamento del livello logico di P-Manica di NDS356AP
Descrizione generale
I transistor di effetto di campo di potere del modo di potenziamento del livello logico di P-Manica SuperSOTTM-3 sono prodotti facendo uso di Fairchild privata, l'alta densità delle cellule, la tecnologia di DMOS. Questo processo molto ad alta densità è adattato particolarmente per minimizzare la resistenza dello su stato. Questi dispositivi sono adatti specialmente per le applicazioni di bassa tensione quali la gestione di potere del computer portatile, l'elettronica portatile ed altri circuiti a pile in cui la commutazione lata alto veloce e la perdita di potere in-linea bassa sono necessarie in un pacchetto molto piccolo del supporto della superficie del profilo.
Caratteristiche
►-1,1 A, -30 V, RDS (SOPRA) = 0,3 W @ VGS=-4.5 V
RDS (SOPRA) = 0,2 W @ VGS=-10 V.
►Pacchetto di superficie del supporto del profilo SOT-23 dello standard industriale
facendo uso di progettazione privata SuperSOTTM-3 per il termale superiore
e capacità elettriche.
►Progettazione ad alta densità delle cellule per estremamente - RDS basso (SOPRA).
►Su resistenza eccezionale e capacità corrente massima di CC.
TUM di valutazioni massime assolute = 25°C salvo indicazione contraria
| Simbolo | Parametro | NDS356AP | Unità |
| VDSS | Tensione di Scolo-fonte | -30 | V |
| VGSS | Tensione di Portone-fonte - continua | ±20 | V |
| Identificazione | Corrente massima dello scolo - continua | ±1.1 | |
| Palladio | Dissipazione di potere massima | 0,5 | W |
| TJ, TSTG | Gamma di temperature di stoccaggio e di funzionamento | -55 - 150 | °C |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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