L'elettronica IC del transistor del Mosfet di potere 30EPH03PBF scheggia il circuito di Integared del fornitore di IC Cina
multi emitter transistor
,silicon power transistors
Raddrizzatore ultraveloce, 30 un FRED PtTM
CARATTERISTICHE
• Tempo di recupero ultraveloce
• Caduta di tensione di andata bassa
• Corrente bassa di perdita
• temperatura di giunzione di funzionamento di 175 °C
• Cavo (Pb) senza (suffisso «di PbF»)
• Progettato e qualificato per il livello industriale
DESCRIPTION/APPLICATIONS
300 serie di V sono i raddrizzatori ultraveloci avanzati di recupero progettati con la prestazione ottimizzata di caduta di tensione di andata e di tempo di recupero ultraveloce. La struttura planare ed il platino hanno verniciato la garanzia di controllo di tempo di vita le migliori caratteristiche globali della prestazione, dell'irregolarità e dell'affidabilità. Questi dispositivi sono intesi per uso nella fase della rettifica dell'uscita di SMPS, UPS, i convertitori CC--CC come pure guidando in folle i diodi negli invertitori di bassa tensione e negli azionamenti del motore del selettore rotante. La loro tassa immagazzinata estremamente ottimizzata e corrente bassa di recupero minimizzano le perdite di commutazione e ridurrsi sopra la dissipazione nell'elemento e nei freni a fune di commutazione.
Una parte dell'elenco di collezioni
| C.I MM74HC164MX | FSC | P0552AD/P9FAD | SOP-14 |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| DIODO BYG23M-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| DIODO SML4742A-E3/61 | VISHAY | 1632/12 | SMA |
| Ricerca 2010 330R 5% CRCW2010330RJNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| Ricerca 2010 68K 5% CRCW201068K0JNEF | VISHAY | 1612 | SMD2010 |
| C.I MCP6S26-I/SL | MICROCHIP | 16255C4 | SOP-14 |
| ACOPLADOR. PC817A | TAGLIENTE | 2016.08.10/H33 | DIP-4 |
| TRASPORTO 2SS52M | Honeywell | 2SSM/523-LF | TO-92 |
| C.I SCC2691AC1D24 | 1149+ | SOP-24 | |
| C.I TP3057WM | TI | XM33AF | SOP-16 |
| C.I CD14538BE | TI | 33ADS8K | DIP-16 |
| C.I CL2N8-G | MICROCHIP | CL2C | SOT-89 |
| C.I SN75179BP | TI | 57C50DM | DIP-8 |
| C.I L6219DS | St | 135 | SOP-24 |
| CAPPUCCIO 1210 470PF 1KV NP0 CL32C471JIINNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD1210 |
| INDUTOR 3.3UH SLF6045T-3R3N2R8-3PF | TDK | YA16H0945122/3R3 | SMD6045 |
| CAPPUCCIO ELCO SMD 2.2UF 50V EEE-1HA2R2SR | PENTOLA | Y1628F843536/2.2/50V/SYK | SMD4*5.4 |
| C.I 24LC256-I/SN | MICROCHIP | 1636M6G | SOP-8 |
| CAPPUCCIO ELCO SMD 150UF 25V UCD1E151MNL1GS | NICHICON | 160602/150/25V/H72 | SMD8*10.5 |
| RICERCA RC0805JR-0727RL | YAGEO | 1538 | SMD0805 |
| C.I SN75240PW | TI | 11/A75240 | MSOP-8 |
| RICERCA RC0805JR-0715KL | YAGEO | 1637 | SMD0805 |
| CAPPUCCIO CER 0805 1UF 10V X7R LMK212BJ105MG-T | TAIYOYUDEN | 1608 | SMD0805 |
| CAPPUCCIO CER 0805 4.7UF 50V X5R CL21A475KBQNNNE | SAMSUNG | AC7JO2H | SMD0805 |
| Ricerca 0805 28K7 RC0805FR-0728K7L 1% | YAGEO | 1638 | SMD0805 |
| CASO 0805RC0805JR-073K3L di RICERCA 3K3 5% | YAGEO | 1623 | SMD0805 |
| TRIAC BTA26-600BRG | St | 628 | TO-3P |
| CAPPUCCIO 0805 330NF 100V C2012X7S2A334K125AB | TDK | IB16F15763SD | SMD0805 |
Valutazioni massime assolute
Tj = 25C
| Parametro | Simbolo | Valore | Unione |
| Scolo-fonte voltage3 | 300 | V | |
| tensione di Portone-fonte | VGSS | ±30 | V |
| Corrente dello scolo di CC | Identificazione | 8 | |
| Vuoti la dissipazione di potere | Palladio | 32 | |
| Temperatura di giunzione | Tch | 150 | °C |
| Gamma di temperature di stoccaggio | Tstg | -55 - +150 | °C |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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