SST27SF010-70-3C-PH 256 Kbit Kbit/512/1 Mbit Mbit/2 molti cronometrano il flash programmabile
power mosfet ic
,silicon power transistors
SST27SF010-70-3C-PH 256 Kbit Kbit/512/1 Mbit Mbit/2 molti cronometrano il flash programmabile
CARATTERISTICHE:
• Organizzato come 32K x8/64K x8/128K x8/256K x8
• 4.5-5.5V l'operazione di lettura
• Affidabilità superiore
– Resistenza: Almeno 1000 cicli
– Più maggior di 100 anni di conservazione di dati
• Basso consumo energetico
– Corrente attiva: (tipico) 20 mA
– Corrente standby: µA 10 (tipico)
• Access colto veloce Tim
– 70 NS
– 90 NS
DESCRIZIONE DI PRODOTTO
Gli SST27SF256/512/010/020 sono i 32K x8/64K x8/128K x8/256K x8 il CMOS, (MTP) flash basso programmabile tempo molto, manifatturiero con SST privati, la tecnologia di SuperFlash di rendimento elevato. L'iniettore di traforo di progettazione delle cellule del spaccatura-portone e dell'ossido spesso raggiunge la migliore affidabilità e il manufacturability rispetto agli approcci alterni. Questi dispositivi di MTP possono essere cancellati e programmati elettricamente almeno 1000 volte facendo uso di un programmatore esterno con un'alimentazione elettrica di 12 volt. Devono essere cancellati prima della programmazione. Questi dispositivi si conformano alle piedinature standard di JEDEC per le memorie byte di ampiezza
Caratterizzando il Byte-programma di rendimento elevato, gli SST27SF256/512/010/020 forniscono un tempo di Byte-programma di 20 µs. Progettati, manifatturieri e provati ad ampia gamma di applicazioni, questi dispositivi sono offerti con una resistenza almeno di 1000 cicli. La conservazione di dati è stimata a più maggior di 100 anni.
Gli SST27SF256/512/010/020 sono adatti per le applicazioni che richiedono raro scrivono e memoria non volatile di potere basso. Questi dispositivi miglioreranno la flessibilità, l'efficienza e la prestazione mentre abbinano il basso costo nelle applicazioni non volatili che attualmente utilizzano i UV-EPROMs, OTPs e le ROM della maschera.
ELENCO DI COLLEZIONI
| XC3S250E-4TQG144C | 1968 | XILINX | 15+ | QFP144 |
| CY7C68014A-100AXC | 1156 | CYPRESS | 15+ | QFP |
| LP2985A-10DBVR | 4710 | TI | 15+ | SOT-23-5 |
| PB4350 | 10940 | 16+ | SOT-23 | |
| M27C512-70XF1 | 4087 | St | 16+ | IMMERSIONE |
| QM200DY-H | 250 | MITSUBISH | 12+ | MODULO |
| ATTINY85-20PU | 500 | ATMEL | 14+ | DIP-8 |
| A50L-0001-0284 | 100 | FUJI | 10+ | MODULO |
| PC357N1TJ00F | 10000 | TAGLIENTE | 16+ | CONTENTINO |
| 2MBI150US-120-50 | 388 | FUJI | 14+ | MODULO |
| 2MBI75P-140 | 523 | FUJI | 12+ | MODULO |
| LNK364PN | 4211 | POTERE | 15+ | DIP-7 |
| RA30H2127M | 200 | MITSUBISH | 12+ | MODULO |
| CM110YE4-12F | 228 | MITSUBI | 15+ | MODULO |
| MRF321 | 642 | MOT | 14+ | TO-55s |
| A3972SB | 1000 | ALLEGRO | 13+ | DIP-24 |
| MR4010 | 6253 | SHINDENGE | 16+ | TO220-7 |
| PMD1000 | 5000 | ALLEGRO | 10+ | QFP-48 |
| LTC2294IUP | 726 | LT | 15+ | QFN |
| M30620FCAFP | 3750 | RENESAS | 16+ | QFP |
| BT148W-600R | 10000 | 14+ | TO220 | |
| MAX4312EEE+T | 3600 | MASSIMO | 14+ | QSOP |
| LTC1967CMS8 | 1628 | LINEARE | 15+ | MSOP |
| PM200CLA120 | 100 | MITSUBISH | 05+ | MOUDLE |
| MAX5160MEUA | 14950 | MASSIMO | 16+ | MSOP |
| P89C51RC+JB | 1140 | PHILIPS | 15+ | QFP |
| MC68CK16Z1CAG16 | 3682 | FREESCALE | 15+ | QFP |
| PBY201209T-601Y-S | 20000 | YAGEO | 16+ | SMD |
| PACDN046M | 10620 | CMD | 16+ | MSOP8 |
| XQ18V04VQ44N | 890 | XILINX | 14+ | QFP44 |
| MAX17126BETM | 6650 | MASSIMO | 15+ | QFN |
| CY20AAJ-8F | 500 | MIT | 10+ | SOP-8 |
| LME49720MA | 2428 | NSC | 14+ | SOP-8 |
| BL05A | 888 | SU | 12+ | SOP-8 |
| BT4830 | 2322 | ASTA | 15+ | ZIP |
| BLF278 | 112 | 12+ | SOT-262 | |
| M51996AFP | 3334 | RENESAS | 16+ | CONTENTINO |
| M25PE20-VMN6TP | 4331 | St | 16+ | CONTENTINO |
| MB81F643242B-10FN | 6418 | FUJI | 15+ | TSSOP |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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