Supporto di superficie PlanarTransistors Si-epitassiale BCP53
fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Transistor bipolare (BJT) PNP 80 V 1,2 A 1,5 W A montaggio superficiale SOT-223-4
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
negotiation
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Power dissipation – Verlustleistung:
1.3 W
Corrente di collettore – Kollektorstrom (CC):
1 A
Corrente di collettore di punta – Koll. - Spitzenstrom:
1,5 A
Peak Base current – Basis-Spitzenstrom:
200 mA
Temperatura di giunzione – Sperrschichttemperatur:
150? ℃
Storage temperature – Lagerungstemperatur:
- 65…+ 150℃
Punto culminante:
npn smd transistor
,multi emitter transistor
Introduzione
Dissipazione di potere – Verlustleistung 1,3 W
Custodia in plastica SOT-223
Kunststoffgehäuse
Peso approssimativamente – Gewicht CA 0,04 g
La materia plastica ha classificazione 94V-0 dell'UL
Klassifiziert di Gehäusematerial UL94V-0
Imballaggio standard legato ed annaspato
Auf standard Rolle del gegurtet di Lieferform
Valutazioni massime (TUM = 25? ℃) Grenzwerte (TUM = 25? ℃)
| BCP 51 | BCP 52 | BCP 53 | ||
| Collettore-Emettitore-tensione B aperta | - VCE0 | 45 V | 60 V | 80 V |
| Collettore-Base-tensione E aperta | - VCB0 | 45 V | 60 V | 100 V |
| Emettitore-Base-tensione C aperta | - VEB0 | 5 V | ||
| Dissipazione di potere – Verlustleistung | Ptot | 1,3 W 1) | ||
| Corrente di collettore – Kollektorstrom (CC) | - IC | 1 A | ||
| Corrente di collettore di punta – Koll. - Spitzenstrom | - ICM | 1,5 A | ||
| Corrente di base di punta – base-Spitzenstrom | - IBM | 200 mA | ||
| Temperatura di giunzione – Sperrschichttemperatur | Tj | 150? ℃ | ||
| Temperatura di stoccaggio – Lagerungstemperatur | ST | - 65… + 150? ℃ | ||
1) montato sul bordo di P.C. con 3 il cuscinetto di rame di millimetro2 ad ogni terminale
Mit 3 millimetro2 Kupferbelag (Lötpad) del auf Leiterplatte del montaggio un jedem Anschluß
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Di riserva:
MOQ:
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