IRF9540NPBF 3 Pin Transistor, MOSFET istantaneo di Chip Power del circuito integrato di CI
multi emitter transistor
,silicon power transistors
IRF2807 MOSFET istantaneo di potere di elettronica di IC del chip del circuito integrato del transistor CI
Caratteristiche dell'uscita:
la l ha avanzato la tecnologia della trasformazione
l valutazione dinamica di dv/dt
l temperatura di funzionamento di 175°C
l commutazione veloce
l P-Manica l completamente valanga valutata
Specifiche chiave:
La quinta generazione HEXFETs dal raddrizzatore internazionale utilizza le tecniche di trattamento avanzate per raggiungere estremamente - la su resistenza bassa per area del silicio.
Questo beneficio, combinato con la velocità di commutazione veloce e la progettazione resa resistente del dispositivo cui i MOSFETs di potere di HEXFET sono ben noti per, fornisce al progettista un dispositivo estremamente efficiente ed affidabile per uso in un'ampia varietà di applicazioni.
Il pacchetto TO-220 è preferito universalmente per tutte le applicazioni di commerciale-industriale ai livelli della dissipazione di potere a circa 50 watt. La resistenza termica bassa ed il costo basso del pacchetto del TO-220 contribuiscono alla sua ampia accettazione in tutto l'industria
Valutazioni massime assolute
Identificazione @ corrente continua dello scolo TC = 25°C, VGS @ 10V
un'identificazione di 82 @ corrente continua dello scolo TC = 100°C, VGS @ 10V 58 A
IDM pulsati vuotano il palladio corrente del 280 @TC = 25°C
Ridurre le imposte lineare della dissipazione di potere 230 W scompone 1,5 W/°C in fattori
± 20 V di tensione di Portone--fonte di VGS
corrente 43 A della valanga di IAR
ripetitivo 23 mJ dv/dt di energia della valanga dell'ORECCHIO
di punta 5,9 V/ns TJ di recupero dv/dt del diodo
Giunzione di funzionamento e -55 + a 175
Temperatura di saldatura della gamma di temperature di stoccaggio di TSTG, per 10 il °C di secondi 300 (1.6mm dal caso) che monta coppia di torsione, 6-32 o srew M3 10 lbf•in (1.1N•m)
Una parte dell'elenco di collezioni
| CAPPUCCIO 0603 56PF 16V 0603N560K160CT | WALSIN | 16/04/27 | SMD0603 |
| C.I SP3203ECY-L/TR | SIPEX | 0616 | TSSOP-20 |
| C.I AT89S52-24PU | ATMEL | 1602 | DIP-40 |
| DIODO M7 | MIC | 1625 | SMA |
| DIODO BZX84C15LT1G | SU | 1630/Y4 | SOT-23 |
| MMBD4148-7-F | DIODI | 1617/KA2 | SOT-23 |
| TRASPORTO MMBTA42LT1G | SU | 1635/1D | SOT-23 |
| DIODO. BYG20J-E3/TR | VISHAY | 1632 | SMA |
| TRASPORTO NDD04N60ZT4G | SU | 1143/A43/4N60ZG | TO-252 |
| C.I UBA3070T | 1333 | SOP-8 | |
| CAPPUCCIO 0402 1UF 6.3V X7R GRM155R70J105KA12D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| CAPPUCCIO 0402 47NF 25V X7R GRM155R71E473JA88D | MURATA | IA6026DP4 | SMD0402 |
| CAPPUCCIO 0402 100NF 16V X7R 55 GRM155R71C104JA88D | MURATA | IA6009DI8 | SMD0402 |
| CAPPUCCIO ELETR 470UF 16V RF1C471MTBF35008012 | NANTUNG | ||
| CAPPUCCIO 0805 10UF 6,3V X5R JMK212BJ106KD-T | TAIYOYUDEN | 1609 | SMD0805 |
| OPTO 4N25M | FSC | 637Q | DIP-6 |
| TRIAC BT151-500R | 603 | TO-220 |
W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI
PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE
Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT
NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF
Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG
Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip
MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485
SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
| Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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