Il circuito di IC del sensore di pressione di CNY65A scheggia IC Chip Optocoupler con l'uscita del fototransistor
temperature sensor ic
,electronic pressure sensors
CNY65A
Accoppiatore ottico, uscita del fototransistor, tensione molto alta di isolamento
Caratteristiche
• Tensione stimata di isolamento (RMS comprende la CC) VIOWM = 1000 VRMS (un picco di 1450 V)
• Tensione di punta di ricorso Rated VIORM (ripetitivo) = 1000 VRMS
• Spessore attraverso il ≥ dell'isolamento 3 millimetri
• Resistenza corrente di dispersione secondo l'indice di inseguimento di comparativo del VDE 0303/IEC 60112: ≥ 200 di CTI • Componente senza piombo
• Componente nell'accordo a RoHS 2002/95/EC e WEEE 2002/96/EC
Approvazioni dell'agenzia
• UL1577, codice H, &K di J, doppia protezione del sistema di no. E76222 dell'archivio
• En 60747-5-5 di BACCANO dell'en 60747-5-2 di BACCANO (VDE0884) in corso
• Il VDE ha collegato le caratteristiche:
• Tensione di impulso stimata (sovratensione transitoria) VIOTM = un picco da 8 chilovolt
• Tensione di prova di isolamento (tensione di prova parziale) di scarico Vpd = un picco da 2,8 chilovolt
Applicazioni
Circuiti per la separazione protettiva sicura contro scossa elettrica secondo la classe di sicurezza II (isolamento di rinforzo): Per appl. classe I - IV al ≤ 300 V di tensione delle condutture per appl. classe I - IV al ≤ 600 V di tensione delle condutture per appl. classe I - III al ≤ 1000 V di tensione delle condutture secondo l'en 60747-5-2 (VDE0884) di BACCANO/en 60747 - 5-5 in corso, tabella 2 di BACCANO, adatta: alimentazioni elettriche di Commutatore-modo, linea ricevitore, interfaccia periferica del computer, interfaccia del sistema a microprocessore.
Descrizione
I CNY64/CNY65/CNY66 consistono di un fototransistor otticamente accoppiato ad un diodo infraredemitting dell'arsenuro di gallio in un pacchetto di plastica di 4 perni. Le singole componenti sono montate di fronte ad una un altro, fornendo una distanza fra input ed uscita per gli più alti requisiti di sicurezza > di 3 millimetri.
Una parte dell'elenco di collezioni
| CAPPUCCIO 100NF 50V X7R CL05B104KB5NNNC | SAMSUNG | AC82ODH | SMD0402 |
| CAPPUCCIO 4,7UF 10V X5R 10% CL21A475KPFNNNE | SAMSUNG | ACABOJN | SMD0805 |
| CAPPUCCIO 1NF 2KV X7R 10% CL31B102KJFNNNE | SAMSUNG | ACA9ORJ | SMD1206 |
| NPO CL05C100JB5NNNC del CAPPUCCIO 0402 10PF 50V | SAMSUNG | AC90OSW | SMD0402 |
| NPO CL05C220JB5NNNC del CAPPUCCIO 0402 22PF 50V | SAMSUNG | AC90OSW | SMD0402 |
| CAPPUCCIO 0805 1UF 16V X5R CL21A105KOFNNNE |
SAMSUNG | ACA7OCC | SMD0805 |
| Ricerca 0402 10K 5% RC0402JR-0710KL |
YAGEO | 1646 | SMD0402 |
| Ricerca 0402 100K 5% RC0402JR-07100KL | YAGEO | 1632 | SMD0402 |
| Ricerca 0402 220R 5% RC0402JR-07220RL | YAGEO | 1625 | SMD0402 |
| Ricerca 0402 0R 5% RC0402JR-070RL |
YAGEO | 1640 | SMD0402 |
| Ricerca 0402 4K7 5% RC0402JR-074K7L |
YAGEO | 1640 | SMD0402 |
| Ricerca 0R 5% RC0805JR-070RL |
YAGEO | 1645 | SMD0805 |
| Ricerca 0402 49R9 1% RC0402FR-0749R9L | YAGEO | 1632 | SMD0402 |
| Ricerca 0402 12K1 1% RC0402FR-0712K1L | YAGEO | 1644 | SMD0402 |
| CAPPUCCIO ELETR 1000UF 50V RF1H102M12.5X25 | NANTUNG | 16+ | SMD |
| C.I MCP9700AT-E/TT | MICROCHIP | AFWJ | SOT23-3 |
| RC0805JR-0710KL | YAGEO | 1630 | SMD0805 |
| DIODO DF06S | SETTEMBRE | 1611 | SOP-4 |
| TRANS. ZXMN10A09KTC | ZETEX | 1243 | TO-252 |
| RC0805JR-071ML | YAGEO | 1618 | SMD0805 |
| C.I L7812CV | St | 620 | TO-220 |
| ACOPLADOR OTICO. MOC3021S-TA1 | LITE-ON | 1644 | SOP-6 |
| Ricerca 1206 470R 5% RC1206JR-07470RL | YAGEO | 1518 | SMD1206 |
| CAPPUCCIO 220NF 100V 10% X7S C2012X7S2A224K085AE | TDK | IB16H30223SD | SMD0805 |
| RC0805JR-07330RL | YAGEO | 1632 | SMD0805 |
| DIODO PTZTE2518B | ROHM | 1639/18B/69 | SMA |
| C.I MT29F4G08ABADAWP: D | MICRON | 1402 | TSOP-48 |
| DIODO SMCJ5.0A-E3/57T | VISHAY | 1632/GDE | SMC |
| C.I ADS8344E | TI | 4ACZLLK | SSOP-20 |
| C.I DAC 7714U | TI | 21AQSQT | SOP-16 |
Diodo di commutazione veloce di caso di RoHS SOD123 SOT23 1N4148W-E3-08
ZOLLA di LL42-GS08 30V 200mA - 80 diodi Schottky del segnale
Tensione VISHAY del contrappeso di potere di impulso di punta SMBJ170A-E3/52 600W 17V
Manica IRFP9240PBF del Mosfet 12A 200V P di potere di TO-247 VISHAY
VO0630T Transistor a effetto campo NUOVO E ORIGINALE
resistenze MMB02070C1802FB200 di 1W 18Kohms 300V 50ppm MELF
MMB02070C1004FB200 stato attivo della parte dell'anti film dello zolfo SMD Chip Resistor For Telecommunication Thin
Resistenza a film metallico di KOhms ±1% MELF 0207 della resistenza di film sottile MMB02070C1503FB200 150
Resistenza di ohm 390k di SMM02040C3903FB300 MELF 0204, resistenza di zavorra automobilistica dell'anti zolfo