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Nuovi & 50 TRIAC originali BTA40-600B del modulo di potere del Mosfet di mA 40A

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
TRIAC Standard 600 V 40 A Chassis Mount RD91
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
IT(RMS):
40 A
VDRM/VRRM:
600 and 800 V
IGT (Q1):
50 mA
IGM:
8 A
PG(AV):
1 W
I t:
880 A s
Punto culminante:

low voltage power mosfet

,

hybrid inverter circuit

Introduzione


TRIAC 40A

CARATTERISTICHE PRINCIPALI:

Simbolo Valore Unità
L'IT (RMS) 40
VDRM/VRRM 600 e 800 V
IGT (Q1) 50 mA


DESCRIZIONE
Disponibile in pacchetti di alto potere, la serie di BTA/BTB40-41 è adatta a commutazione di potenza per tutti gli usi di CA. Possono essere utilizzati come funzione INSERITA/DISINSERITA nelle domande quali i relè statici, regolamento del riscaldamento, scaldabagni, motore asincrono che avvia i circuiti, apparecchio per saldare… o di operazione di controllo di fase nei regolatori della velocità del motore di alto potere, circuiti molli di inizio…

Grazie alla loro tecnica dell'assemblea della clip, forniscono una prestazione superiore nella punta di corrente che tratta le capacità.

Usando un cuscinetto ceramico interno, la serie di BTA fornisce la tensione linguetta isolata (valutata a 2500 V RMS) che risponde alle norme dell'UL (archivio rif.: E81734).


VALUTAZIONI MASSIME ASSOLUTE

Simbolo Parametro Valore Unità

L'IT (RMS)

Corrente dello su stato di RMS
(sinusoide completa)

RD91 TC = 80°C 40
TOP3
L'Istituto centrale di statistica TOP3. TC = 70°C
ITSM

Su stato di punta dell'impulso non ripetitivo
corrente (ciclo completo, Tj = 25°C) iniziale

F = 60 hertz t = spettrografia di massa 16,7 420
F = 50 hertz t = spettrografia di massa 20 400
Io valore di t per fondere tp = spettrografia di massa 10 880 Una s
dI/dt

Tasso critico di aumento della corrente dello su stato
IG =2xIGT, ≤ 100 NS di TR

F = 120 hertz Tj = 125°C 50 A/µs
VDSM/VRSM Tensione di punta dello fuori stato dell'impulso non ripetitivo tp = spettrografia di massa 10 Tj = 25°C

VDRM/VRRM
+ 100

V
IGM Corrente di punta del portone tp = 20 µs Tj = 125°C 8 V
PAGINA (AVOIRDUPOIS) Dissipazione di potere media del portone Tj = 125°C 1 W

Tstg
Tj

Gamma di temperature della giunzione di stoccaggio
Gamma di temperature di funzionamento della giunzione

- 40 + a 150
- 40 + a 125

°C



CARATTERISTICHE ELETTRICHE (Tj = 25°C, salvo specificazione contraria)

Simbolo Condizioni di prova Quadrante Valore Unità
IGT (1) VD = 12 V RL = Ω 33

I - II - III
IV

MASSIMO.

50
100

mA

VGT TUTTI MASSIMO. 1,3 V
VGD VD = VDRM RL = kΩ 3,3 Tj = 125°C TUTTI Minuto. 0,2 V
IH (2) L'IT = 500 mA MASSIMO. 80 mA
L'IL IG = 1,2 IGT

I - III - IV
II

MASSIMO.

70
160

mA
dV/dt (2) VD = portone Tj = 125°C aperti di 67% VDRM Minuto. 500 V/µs
(dV/dt) c (2) (dI/dt) c = 20 A/ms Tj = 125°C Minuto. 10 V/µs

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