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Megabit del chip 4 del circuito integrato di AT29LV040A-15TU (512K x 8) 3 volt memoria flash del settore da soltanto 256 byte

fabbricante:
Produttore
Descrizione:
Memoria flash IC 4Mbit 150 paralleli NS 32-TSOP
Categoria:
Chip di IC di memoria flash
Prezzo:
Negotiate
Metodo di pagamento:
T/T, Western Union, Paypal
Specifiche
Temperatura nell'ambito di polarizzazione:
-55° C - +125° C
Temperatura di stoccaggio:
-65° C - +150° C
Tutte le tensioni in ingresso (perni compresi di NC) riguardo a terra:
-0.6V a +6.25V
Tutte le tensioni in uscita riguardo a terra:
-0.6V a VCC + 0.6V
Tensione su A9 (perni compresi di NC) riguardo a terra:
-0.6V a +13.5V
VCC alimentazione elettrica:
3.3V ± 0.3V
Punto culminante:

digital integrated circuits

,

linear integrated circuits

Introduzione

4-megabit (512K x 8) 3 volt memoria flash AT29LV040A del settore da soltanto 256 byte

Caratteristiche

• Singola tensione, gamma 3V a rifornimento 3.6V

• 3 volt soltanto hanno letto e scrivono l'operazione

• Il software ha protetto la programmazione

• Access colto veloce 150 del tempo NS

• Dissipazione di potere basso

– corrente attiva di 15 mA

– corrente standby di CMOS di 50 µA

• Operazione di programma del settore

– Il singolo ciclo riprogramma (cancelli e programmi)

– 2048 settori (256 byte/settore)

– Fermi di dati e di indirizzo interno per 256 byte

• Due byte 16K inizializzano i blocchi con la serrata

• Spettrografia di massa del tempo veloce 20 del ciclo di programma del settore massima

• Controllo e temporizzatore di programma interno

• Votazione di DATI per la conclusione di rilevazione di programma

• Resistenza tipica > 10.000 cicli

• CMOS ed input ed uscite compatibili di TTL

• Opzione d'imballaggio di verde (Pb/Halide-free)

Descrizione

Il AT29LV040A è memoria di sola lettura programmabili del soli in-sistema i da 3 volt e cancellabili istantanei (PEROM). I suoi 4 megabit della memoria è organizzato come 524.288 parole da 8 bit. Manifatturiero con la tecnologia non volatile avanzata del CMOS EEPROM di Atmel, il dispositivo offre i tempi di accesso a 150 NS e una dissipazione di potere bassa di 54 Mw. Quando il dispositivo è deselezionato, la corrente standby di CMOS è di meno del µA 50. La resistenza del dispositivo è tale che tutto il settore può essere scritto tipicamente al di sopra di 10.000 volte. L'algoritmo di programmazione è compatibile con altri dispositivi memorie flash dei 3 volt di Atmel nelle sole.

Per tenere conto il reprogrammability semplice del in-sistema, il AT29LV040A non richiede le alte tensioni in ingresso per programmare. i comandi solo tre determinano il funzionamento del dispositivo. La lettura dei dati dal dispositivo è simile alla lettura da un EPROM. Riprogrammare il AT29LV040A è eseguito su una base del settore; 256 byte dei dati sono caricati nel dispositivo e poi simultaneamente sono programmati.

Durante riprogrammare il ciclo, le posizioni di indirizzo e 256 byte dei dati sono catturati alla velocità del microprocessore ed internamente sono chiusi, liberanti il canale omnibus di dati e di indirizzo per altre operazioni. A seguito dell'inizio di un ciclo di programma, il dispositivo cancellerà automaticamente il settore e poi il programma i dati chiusi facendo uso di un temporizzatore di controllo interno. L'estremità di un ciclo di programma può essere individuata da votazione di DATI di I/O7. Una volta che l'estremità di un ciclo di programma è stata individuata, un nuovo accesso per colta o il programma può cominciare.

Ratings* massimo assoluto

Temperatura nell'ambito di polarizzazione ............................... -55° C - +125° C

Temperatura di stoccaggio .................................... -65° C - +150° C

Tutte le tensioni in ingresso (perni compresi di NC)

riguardo a terra ................................... - 0.6V a +6.25V

Tutte le tensioni in uscita

riguardo a terra ............................. - 0.6V a VCC + 0.6V

Tensione su A9 (perni compresi di NC)

riguardo a terra ................................... - 0.6V a +13.5V

*NOTICE: Gli sforzi oltre quelli elencati nell'ambito «delle valutazioni massime assolute» possono danneggiare permanente il dispositivo. Ciò è una valutazione di sforzo soltanto e l'operazione funzionale del dispositivo a questi o di alcuni altri termini oltre quelli indicati nelle sezioni operative di questa specificazione non è implicata. L'esposizione ai termini di valutazione di massimo assoluta per i periodi estesi può colpire l'affidabilità del dispositivo.

vista superiore di 32-lead PLCC vista superiore di 32-lead TSOP (tipo 1)

Schema a blocchi

Offerta di riserva (vendita calda)

Numero del pezzo. Q'ty MFG D/C Pacchetto
L78L12A 10000 St 15+ SOT89
BTA40-700B 3158 St 14+ RD-91
NCT3521U 14400 NUVOTON 16+ SOT23-6
MBR3045CT 16459 VISHAY 16+ TO-220
AY80609007293AA 100 INTEL 10+ BGA
BTA10-600B 10000 St 16+ TO-220
MT46H32M16LFBF-6IT: C 7100 MICRON 14+ BGA
ATTINY85-20SU 1000 ATMEL 14+ SOP-8
MUR3020WTG 7681 SU 14+ TO-247
MT29F4G08ABADAWP: D 6981 MICRON 15+ TSSOP
MXD2020EL 3360 MEMSIC 15+ LCC8
MCP1824T-1202E/OT 5128 MICROCHIP 16+ SOT-23
P0751.223NLT 8520 IMPULSO 16+ SMD
NBB-310-T1 6400 RFMD 16+ SMT
NJM3414AV-TE1 10000 CCR 16+ TSSOP
MC908AP32CFBE 4420 FREESCALE 10+ QFP-44
P80C32SBPN 9720 PHILIPS 13+ IMMERSIONE
MAX3232CPWR 11050 TI 14+ TSSOP
MC14093BCPG 6162 SU 16+ IMMERSIONE
LMV774MTX 4258 NSC 14+ TSSOP-14
MAX3232IPWR 11750 TI 16+ TSSOP

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