Megabit del chip 4 del circuito integrato di AT29LV040A-15TU (512K x 8) 3 volt memoria flash del settore da soltanto 256 byte
digital integrated circuits
,linear integrated circuits
4-megabit (512K x 8) 3 volt memoria flash AT29LV040A del settore da soltanto 256 byte
Caratteristiche
• Singola tensione, gamma 3V a rifornimento 3.6V
• 3 volt soltanto hanno letto e scrivono l'operazione
• Il software ha protetto la programmazione
• Access colto veloce 150 del tempo NS
• Dissipazione di potere basso
– corrente attiva di 15 mA
– corrente standby di CMOS di 50 µA
• Operazione di programma del settore
– Il singolo ciclo riprogramma (cancelli e programmi)
– 2048 settori (256 byte/settore)
– Fermi di dati e di indirizzo interno per 256 byte
• Due byte 16K inizializzano i blocchi con la serrata
• Spettrografia di massa del tempo veloce 20 del ciclo di programma del settore massima
• Controllo e temporizzatore di programma interno
• Votazione di DATI per la conclusione di rilevazione di programma
• Resistenza tipica > 10.000 cicli
• CMOS ed input ed uscite compatibili di TTL
• Opzione d'imballaggio di verde (Pb/Halide-free)
Descrizione
Il AT29LV040A è memoria di sola lettura programmabili del soli in-sistema i da 3 volt e cancellabili istantanei (PEROM). I suoi 4 megabit della memoria è organizzato come 524.288 parole da 8 bit. Manifatturiero con la tecnologia non volatile avanzata del CMOS EEPROM di Atmel, il dispositivo offre i tempi di accesso a 150 NS e una dissipazione di potere bassa di 54 Mw. Quando il dispositivo è deselezionato, la corrente standby di CMOS è di meno del µA 50. La resistenza del dispositivo è tale che tutto il settore può essere scritto tipicamente al di sopra di 10.000 volte. L'algoritmo di programmazione è compatibile con altri dispositivi memorie flash dei 3 volt di Atmel nelle sole.
Per tenere conto il reprogrammability semplice del in-sistema, il AT29LV040A non richiede le alte tensioni in ingresso per programmare. i comandi solo tre determinano il funzionamento del dispositivo. La lettura dei dati dal dispositivo è simile alla lettura da un EPROM. Riprogrammare il AT29LV040A è eseguito su una base del settore; 256 byte dei dati sono caricati nel dispositivo e poi simultaneamente sono programmati.
Durante riprogrammare il ciclo, le posizioni di indirizzo e 256 byte dei dati sono catturati alla velocità del microprocessore ed internamente sono chiusi, liberanti il canale omnibus di dati e di indirizzo per altre operazioni. A seguito dell'inizio di un ciclo di programma, il dispositivo cancellerà automaticamente il settore e poi il programma i dati chiusi facendo uso di un temporizzatore di controllo interno. L'estremità di un ciclo di programma può essere individuata da votazione di DATI di I/O7. Una volta che l'estremità di un ciclo di programma è stata individuata, un nuovo accesso per colta o il programma può cominciare.
Ratings* massimo assoluto
Temperatura nell'ambito di polarizzazione ............................... -55° C - +125° C
Temperatura di stoccaggio .................................... -65° C - +150° C
Tutte le tensioni in ingresso (perni compresi di NC)
riguardo a terra ................................... - 0.6V a +6.25V
Tutte le tensioni in uscita
riguardo a terra ............................. - 0.6V a VCC + 0.6V
Tensione su A9 (perni compresi di NC)
riguardo a terra ................................... - 0.6V a +13.5V
*NOTICE: Gli sforzi oltre quelli elencati nell'ambito «delle valutazioni massime assolute» possono danneggiare permanente il dispositivo. Ciò è una valutazione di sforzo soltanto e l'operazione funzionale del dispositivo a questi o di alcuni altri termini oltre quelli indicati nelle sezioni operative di questa specificazione non è implicata. L'esposizione ai termini di valutazione di massimo assoluta per i periodi estesi può colpire l'affidabilità del dispositivo.
vista superiore di 32-lead PLCC vista superiore di 32-lead TSOP (tipo 1)
Schema a blocchi
Offerta di riserva (vendita calda)
Numero del pezzo. | Q'ty | MFG | D/C | Pacchetto |
L78L12A | 10000 | St | 15+ | SOT89 |
BTA40-700B | 3158 | St | 14+ | RD-91 |
NCT3521U | 14400 | NUVOTON | 16+ | SOT23-6 |
MBR3045CT | 16459 | VISHAY | 16+ | TO-220 |
AY80609007293AA | 100 | INTEL | 10+ | BGA |
BTA10-600B | 10000 | St | 16+ | TO-220 |
MT46H32M16LFBF-6IT: C | 7100 | MICRON | 14+ | BGA |
ATTINY85-20SU | 1000 | ATMEL | 14+ | SOP-8 |
MUR3020WTG | 7681 | SU | 14+ | TO-247 |
MT29F4G08ABADAWP: D | 6981 | MICRON | 15+ | TSSOP |
MXD2020EL | 3360 | MEMSIC | 15+ | LCC8 |
MCP1824T-1202E/OT | 5128 | MICROCHIP | 16+ | SOT-23 |
P0751.223NLT | 8520 | IMPULSO | 16+ | SMD |
NBB-310-T1 | 6400 | RFMD | 16+ | SMT |
NJM3414AV-TE1 | 10000 | CCR | 16+ | TSSOP |
MC908AP32CFBE | 4420 | FREESCALE | 10+ | QFP-44 |
P80C32SBPN | 9720 | PHILIPS | 13+ | IMMERSIONE |
MAX3232CPWR | 11050 | TI | 14+ | TSSOP |
MC14093BCPG | 6162 | SU | 16+ | IMMERSIONE |
LMV774MTX | 4258 | NSC | 14+ | TSSOP-14 |
MAX3232IPWR | 11750 | TI | 16+ | TSSOP |

W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI

PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE

Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT

NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF

Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz

Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG

Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip

MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485

SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE
Immagine | parte # | Descrizione | |
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W25N01GVZEIG SLC Nand Flash Memory IC 3V 1G HA MORSO Winbond TW SPI |
FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gbit SPI - Quad I/O 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
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PF48F4400P0VBQEK STOCK NUOVO E ORIGINALE |
FLASH - NOR (MLC) Memory IC 512Mbit CFI 52 MHz 110 ns 64-LBGA (11x13)
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Memoria flash NUOVE ED AZIONE ORIGINALI di IC di DSPIC30F3011-30I/PT |
dsPIC dsPIC™ 30F Microcontroller IC 16-Bit 30 MIPs 24KB (8K x 24) FLASH 44-TQFP (10x10)
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NUOVE ED AZIONE ORIGINALI DI IR2110PBF |
Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 14-DIP
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Chip di IC di memoria flash di S25FL032P0XMFI010 SOP8 104MHz |
FLASH - NOR Memory IC 32Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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![]() |
Circuito integrato doppio di memoria di Spi del quadrato del BIT istantaneo di serie del chip 3V 8M di W25Q80DVSNIG |
FLASH - NOR Memory IC 8Mbit SPI - Quad I/O 104 MHz 8-SOIC
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Modulo IRF520 dell'azionamento PWM Controlador di MOS Tube Field Effect Single-Chip |
N-Channel 100 V 9.2A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
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MAX485, RS485 modulo TTL RS-485 al modulo TTL a 485 |
1/1 Transceiver Half RS422, RS485 8-uMAX/uSOP
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SKY65336-11 STOCK NUOVO E ORIGINALE |
RF Front End 2.4GHz ISM 28-MCM (8x8)
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